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J-GLOBAL ID：202002216801710309   整理番号：20A1196679

大学のマイクロエレクトロニクスとナノエレクトロニクスにおけるeラーニングのためのシミュレーションツール【JST・京大機械翻訳】

Simulation Tools for E-Learning in Microelectronics and Nanoelectronics at the University

著者 (3件)： Demenkova Tatyana (MIREA - Russian Technological University, Moscow, Russia) ,  Indrishenok Valery (MIREA - Russian Technological University, Moscow, Russia) ,  Pevtsov Evgeny (MIREA - Russian Technological University, Moscow, Russia)
資料名： Communications in Computer and Information Science  (Communications in Computer and Information Science)
巻： 1201  ページ： 121-133  発行年： 2020年 
JST資料番号： W5071A  ISSN： 1865-0929  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlGaN/GaN電界効果トランジスタの電気的特性のシミュレーション領域における研究結果を示した。強いおよび弱い電気分極の場合の輸送過程のかなりの違いを示した。バッファ層GaNの体積における中心の捕獲の役割を解析し,深い中断がバッファ層における静電ポテンシャルの分布と電子の密度にかなり影響することを示した。高濃度の中断の場合,チャネルからの距離の増加により自由電子の密度の急激な低下があり,バッファ層の深さにおける電流密度は減少する。受信された科学的結果により,エレクトロニクスにおける自動化設計,実験の自動化,および大学におけるマスタの訓練のためのマイクロエレクトロニクスおよびナノエレクトロニクスの方向内のマイクロおよびナノシステムの設計およびモデリングのための科学的ソフトウェアを使用することが可能になった。半導体製造プロセス,それらの電気的,光学的,熱的,および他の特性の数学的シミュレーションのためのソフトウェアシステムを設計した。重要な利点は,それらの物理的実装に基づいて,コストのかかる実験研究を含まずに,デバイス特性と製造技術と設計パラメータの間の関係を確立する可能性である。ソフトウェアを用いて集積回路の素子と素子を開発し,種々の外部因子に曝露したときの種々の動作モードにおける素子特性を研究した。Copyright Springer Nature Switzerland AG 2020 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *シミュレーション ,  集積回路 ,  自動化 ,  FET【トランジスタ】 ,  電流密度 ,  *電子技術 ,  ソフトウェア ,  窒化ガリウム ,  *マイクロエレクトロニクス ,  バッファ層 ,  半導体プロセス ,  *eラーニング
準シソーラス用語： 静電ポテンシャル ,  *ナノエレクトロニクス ,  デバイス特性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： eラーニング ,  マイクロエレクトロニクス ,  ナノエレクトロニクス ,  シミュレーションツール

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 大学 ,  マイクロエレクトロニクス ,  ナノエレクトロニクス ,  eラーニング ,  シミュレーションツール