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J-GLOBAL ID：202002216843990107   整理番号：20A1068811

サブテラヘルツ周波数範囲における歪SiGe/Si層の音響特性【JST・京大機械翻訳】

Acoustic properties of strained SiGe/Si layers in the sub-terahertz frequency range

著者 (6件)： Klokov A. Yu. (P.N. Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Leninskii pr. 53, Moscow 119991, Russia) ,  Krivobok V. S. (P.N. Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Leninskii pr. 53, Moscow 119991, Russia) ,  Sharkov A. I. (P.N. Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Leninskii pr. 53, Moscow 119991, Russia) ,  Tsvetkov V. A. (P.N. Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Leninskii pr. 53, Moscow 119991, Russia) ,  Martovitskii V. P. (P.N. Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Leninskii pr. 53, Moscow 119991, Russia) ,  Novikov A. V. (Institute for Physics of Microstructures RAS, GSP-105, Nizhny Novgorod 603950, Russia)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 127  号： 15  ページ： 154304-154304-9  発行年： 2020年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,均一なSiGe層と自己組織化島形成の初期段階が観察された層を持つ歪SiGe/Siヘテロ構造における30~200GHzの周波数範囲内でのコヒーレント音響フォノンの散乱を研究した。単一SiGe層により反射されたコヒーレントフォノンパルスを検出し,二つの薄い(約10nm)SiGe層から成る系におけるフォノン干渉を観測した。音響特性を単一SiGe層に対して決定し,層の横方向音響不均一性をサブテラヘルツ周波数範囲で推定した。結果は,約10nmのSiGe層の10%~32%の音響特性のゲルマニウム含有量の範囲内で,格子不整合とStranski-Krastanov成長の初期段階によって引き起こされた不均一性によって支配される内部歪に鈍感であることを示した。同じゲルマニウム含有量の緩和SiGe固溶体の対応するパラメータを用いて,SiGe層の音速と波インピーダンスを5%誤差以内で決定できた。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： インピーダンス ,  音速 ,  干渉 ,  コヒーレンス ,  固溶体 ,  フォノン ,  *音響 ,  *ケイ素 ,  ゲルマニウム ,  緩和現象 ,  パルス ,  自己組織化
準シソーラス用語： 音響フォノン ,  ヘテロ構造 ,  *シリコンゲルマニウム , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： サブテラヘルツ ,  SiGe ,  Si層 ,  音響特性