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J-GLOBAL ID：202002216891770200   整理番号：20A1249509

制約付きプロファイル内挿法を用いた放射線検出器材料の過渡電流のシミュレーション【JST・京大機械翻訳】

Simulation of the transient current of radiation detector materials using the constrained profile interpolation method

著者 (4件)： Suzuki Kazuhiko (Hokkaido University of Science, Maeda 7-15, Teine Sappor, 006-8585, Japan) ,  Mishima Yoshitaka (Hokkaido University of Science, Maeda 7-15, Teine Sappor, 006-8585, Japan) ,  Masuda Takahiro (Hokkaido University of Science, Maeda 7-15, Teine Sappor, 006-8585, Japan) ,  Seto Satoru (National Institute of Technology, Ishikawa College, Tsubata, Ishikawa, 929-0392, Japan)
資料名： Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section A. Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment  (Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section A. Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment)
巻： 971  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0208B  ISSN： 0168-9002  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 負にバイアスされた高抵抗半導体検出器材料における光発生電荷キャリアのドリフト拡散方程式の数値解を得るために,半ラグランジアン型移流スキーム,制約プロファイル補間(CIP)法を採用した。この方法は,負にバイアスされた高抵抗性半導体検出器材料における光発生電荷キャリアのドリフト拡散方程式の数値解を得るために採用される。異なるバイアス電圧と種々のレーザ励起強度の下で飛行時間(TOF)法により測定した高抵抗CdZnTeの過渡電流波形を,Poisson方程式と組み合わせたドリフト-拡散方程式の解から導出した電荷分布と対応する内部電場発展の時間発展から理論的に再現した。本理論法により得られた電荷分布と内部電場分布の時間発展は,モンテカルロ(MC)シミュレーション,独立数値法により得られたものと非常に良く一致した。CdZnTe結晶で測定された実験的TOF電流波形の励起強度依存性を再現することにより,本数値法の妥当性を実証した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： モンテカルロ法 ,  拡散方程式 ,  *シミュレーション ,  数値解法 ,  *放射線検出器 ,  励起 ,  ドリフト ,  電荷分布 ,  レーザ励起 ,  時間発展
準シソーラス用語： 電界分布 ,  内部電場 ,  バイアス電圧 ,  *過渡電流 ,  電荷キャリア , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： CdTe ,  CdZnTe ,  ドリフト拡散方程式 ,  モンテカルロ法 ,  CIP ,  TOF

分類 (1件)： 放射線検出・検出器  (AD08020J)

タイトルに関連する用語 (6件)： 制約 ,  プロファイル ,  内挿法 ,  放射線検出器 ,  過渡電流 ,  シミュレーション