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J-GLOBAL ID：202002216959231726   整理番号：20A2018130

エネルギーハーベスティングのためのMoS_2の化学蒸着:界面酸化物層の発展【JST・京大機械翻訳】

Chemical Vapor Deposition of MoS₂ for Energy Harvesting: Evolution of the Interfacial Oxide Layer

著者 (11件)： Verhagen Tim (Department of Condensed Matter Physics, Faculty of Mathematics and Physics, Charles University, Czech Republic) ,  Rodriguez Alvaro (J. Heyrovsky Institute of Physical Chemistry, Czech Academy of Sciences, Czech Republic) ,  Vondracek Martin (Institute of Physics, Czech Academy of Sciences, Czech Republic) ,  Honolka Jan (Institute of Physics, Czech Academy of Sciences, Czech Republic) ,  Funke Sebastian (Accurion GmbH, Germany) ,  Zlamalova Magda (J. Heyrovsky Institute of Physical Chemistry, Czech Academy of Sciences, Czech Republic) ,  Zlamalova Magda (Department of Inorganic Chemistry, Faculty of Science, Charles University, Czech Republic) ,  Kavan Ladislav (J. Heyrovsky Institute of Physical Chemistry, Czech Academy of Sciences, Czech Republic) ,  Kalbac Martin (J. Heyrovsky Institute of Physical Chemistry, Czech Academy of Sciences, Czech Republic) ,  Vejpravova Jana (Department of Condensed Matter Physics, Faculty of Mathematics and Physics, Charles University, Czech Republic) ,  Frank Otakar (J. Heyrovsky Institute of Physical Chemistry, Czech Academy of Sciences, Czech Republic)
資料名： ACS Applied Nano Materials  (ACS Applied Nano Materials)
巻： 3  号： 7  ページ： 6563-6573  発行年： 2020年 
JST資料番号： W5033A  ISSN： 2574-0970  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： デバイス作製に関連する基板上への二次元(2D)材料の成長は,それらの大面積生産と応用にとって重要である。これは,輸送過程によるそれらの生産がコストを増加させるだけでなく,より重要なことに,移動材料における汚染と機械的欠陥を誘発するからである。誘電体界面層の存在とトランジスタとp-nヘテロ接合における厚さの制御は半導体産業における本質的な側面である。本研究では,MoS_2フレークと単層限界までの厚さを持つ膜を,自然酸化物層で覆われたSi基板上に化学蒸着(CVD)を用いて成長させた。平坦なSiO_2表面に静止した成長したままのMoS_2の高品質を,チップ増強光ルミネセンス分光法および光電子顕微分光法を含む原子間力顕微鏡,光学分光法の組み合わせによって記録した。次に,界面酸化物の変化を,分光イメージング偏光解析法とX線光電子分光法を用いて,マイクロメートルスケール分解能で,加熱とMoS_2成長プロセスの間に,数ナノメートルの酸化物層厚さの増加を示すために,調べた。著者らの結果は,薄い誘電体上に高品質MoS_2を直接成長させる可能性を証明した。しかし,この型のMoS_2堆積をデバイス作製に用いると,SiO_2厚さの同時増加は,成長プロセスの適切な知識と制御を重要にする。薄い(あるいは全く)絶縁層のみを必要とするエネルギーハーベスティングへの応用のために,代替成長プロトコル,表面不動態化,あるいは異なる誘電材料(例えばAl_2O_3)を提案した。Copyright 2020 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ヘテロ接合 ,  *界面 ,  トランジスタ ,  光ルミネセンス ,  誘電体 ,  輸送現象 ,  *酸化物 ,  誘電材料 ,  偏光解析法 ,  二次元 ,  *化学蒸着 ,  X線光電子分光法 ,  原子間力顕微鏡 ,  光電子
準シソーラス用語： *エネルギーハーベスティング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： MoS_2 ,  SiO_2 ,  化学蒸着 ,  エネルギーハーベスティング ,  チップ増強光ルミネセンス

分類 (4件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (5件)： エネルギーハーベスティング ,  化学蒸着 ,  界面 ,  酸化物層 ,  発展