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J-GLOBAL ID：202002216984987462   整理番号：20A0339345

近赤外領域用の真空-半導体ハイブリッド光電素子【JST・京大機械翻訳】

Vacuum-semiconductor hybrid photoelectric device for near IR-region

著者 (3件)： Zubkov V I (SpbSETU “LETI”, Saint-Petersburg, Russian Federation) ,  Mironov D E (JSC “Electron”, Saint-Petersburg, Russian Federation) ,  Solomonov A V (SpbSETU “LETI”, Saint-Petersburg, Russian Federation)
資料名： Journal of Physics: Conference Series  (Journal of Physics: Conference Series)
巻： 1313  号： 1  ページ： 012063 (4pp)  発行年： 2019年 
JST資料番号： W5565A  ISSN： 1742-6588  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 近赤外領域に対するハイブリッド真空半導体光検出器の開発の結果を示した。素子はInP/In_0.53Ga_0.47As/InP光電陰極と電子敏感CCDマトリックスに基づいており,その数は768×580である。表面から0.5μm以内で発生した少数電荷キャリアに対して,CCDマトリックスは約30μmに薄くなった。さらに,マトリックスの逆側において,リン不純物を注入した。この技術は,電場の必要な勾配を作り出し,それはCCDマトリックスのポテンシャルピットへの少数電荷キャリアの高効率輸送を提供する。室温と連続照射において,測定した閾値放射照度は波長範囲λ=1~1.5μmに対して5~10~8W/cm2のレベルで記録された。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 光電陰極 ,  リン ,  放射照度 ,  電場 ,  光検出器 ,  *光電素子 ,  不純物 ,  *半導体
準シソーラス用語： 波長領域 ,  高効率 ,  電荷キャリア ,  *近赤外領域 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体レーザ  (BD04070L) ,  赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W)

タイトルに関連する用語 (3件)： 近赤外領域 ,  真空 ,  光電素子