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J-GLOBAL ID：202002217140284736   整理番号：20A0271587

強力パルス光焼結技術の高速後処理による量子ドット発光ダイオードの効率増強【JST・京大機械翻訳】

Efficiency enhancement of quantum-dot light-emitting diodes via rapid post-treatment of intense pulsed light sintering technique

著者 (13件)： Tang Pengyu (School of Nano Technology and Nano Bionics, University of Science and Technology of China, Hefei 230026, People’s Republic of China) ,  Tang Pengyu (Printable Electronics Research Center, Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences, 398 Ruoshui Road, Suzhou Industrial Park, Suzhou, Jiangsu 215123, People’s Republic of China) ,  Wei Changting (Printable Electronics Research Center, Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences, 398 Ruoshui Road, Suzhou Industrial Park, Suzhou, Jiangsu 215123, People’s Republic of China) ,  Wei Changting (MIIT Key Laboratory of Advanced Display Materials and Devices, Institute of Optoelectronics & Nanomaterials, School of Materials Science and Engineering, Nanjing University of Science and Technology, Nanjing 210094, People’s Republic of China) ,  Xie Liming (Printable Electronics Research Center, Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences, 398 Ruoshui Road, Suzhou Industrial Park, Suzhou, Jiangsu 215123, People’s Republic of China) ,  Chen Xiaolian (Printable Electronics Research Center, Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences, 398 Ruoshui Road, Suzhou Industrial Park, Suzhou, Jiangsu 215123, People’s Republic of China) ,  Li Xia (Jiaxing Nato Optoelectronic Technology Corp. Ltd, Jiaxing 31440, People’s Republic of China) ,  Bai Shaojun (Jiaxing Nato Optoelectronic Technology Corp. Ltd, Jiaxing 31440, People’s Republic of China) ,  Su Wenming (School of Nano Technology and Nano Bionics, University of Science and Technology of China, Hefei 230026, People’s Republic of China) ,  Su Wenming (Printable Electronics Research Center, Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences, 398 Ruoshui Road, Suzhou Industrial Park, Suzhou, Jiangsu 215123, People’s Republic of China) ,  Wang Fengxia (Jiangsu Provincial Key Laboratory of Advanced Robotics, School of Mechanical and Electric Engineering, Soochow University, Suzhou 215123, People’s Republic of China) ,  Cui Zheng (School of Nano Technology and Nano Bionics, University of Science and Technology of China, Hefei 230026, People’s Republic of China) ,  Cui Zheng (Printable Electronics Research Center, Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences, 398 Ruoshui Road, Suzhou Industrial Park, Suzhou, Jiangsu 215123, People’s Republic of China)
資料名： Chemical Physics Letters  (Chemical Physics Letters)
巻： 739  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0824A  ISSN： 0009-2614  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： この研究では,急速で革新的な戦略,強いパルス光(IPL)焼結プロセスを,形成されたデバイス効率を強化するために組み込んだ。カソード側でのIPL焼結後,最大電流効率は43.9から50.5cd/Aに向上した。EQEは100cd/m2と1000cd/m2でそれぞれ2.7倍と1.9倍の改善を示した。IPLによるQLEDの改善された性能は,Al/ZnMgO界面における絶縁AlO_Xの存在から電子と正孔の間のバランスから利益を得た。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *パルス ,  *発光ダイオード ,  後処理 ,  正孔 ,  *焼結 ,  電流効率 ,  カソード ,  *量子ドット ,  界面
準シソーラス用語： *パルス光 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 量子ドット発光ダイオード ,  強力パルス光焼結 ,  急速な後処理 ,  キャリアバランス

分類 (5件)： 無機化合物のルミネセンス  (BM08093J) ,  金属薄膜  (BK14030T) ,  原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  ルミネセンス一般  (BM08091B) ,  錯体のルミネセンス  (BM08095R)

タイトルに関連する用語 (5件)： パルス ,  光焼結 ,  量子ドット ,  発光ダイオード ,  増強