文献

J-GLOBAL ID：202002217145151003   整理番号：20A2066046

NO除去のための窒化および再酸化プロセスにより調製した高効率二相GaN(O)/Nb_2O_5(N)光触媒【JST・京大機械翻訳】

A highly efficient dual-phase GaN(O)/Nb₂O₅(N) photocatalyst prepared through nitridation and reoxidation process for NO removal

著者 (9件)： R.S. Abdellatif Hassan (College of Resources and Environment, Southwest University, Chongqing 400716, China) ,  R.S. Abdellatif Hassan (Agricultural Engineering Department, Faculty of Agriculture, Cairo University, Giza 12613, Egypt) ,  Zhang Guan (School of Civil and Environmental Engineering, Harbin Institute of Technology, Shenzhen, Shenzhen 518055, China) ,  Tang Yu (College of Resources and Environment, Southwest University, Chongqing 400716, China) ,  Ruan Wenji (College of Resources and Environment, Southwest University, Chongqing 400716, China) ,  Li Jibiao (Chongqing Key Laboratory of Extraordinary Bond Engineering and Advanced Materials Technology (EBEAM), School of Materials Science and Engineering, Yangtze Normal University, Chongqing 408100, China) ,  Xie Deti (College of Resources and Environment, Southwest University, Chongqing 400716, China) ,  Ni Jiupai (College of Resources and Environment, Southwest University, Chongqing 400716, China) ,  Ni Chengsheng (College of Resources and Environment, Southwest University, Chongqing 400716, China)
資料名： Chemical Engineering Journal  (Chemical Engineering Journal)
巻： 402  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0723A  ISSN： 1385-8947  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaNbO_4の窒化と再酸化(NRO)により,Nb_2O_5にNをドーピングし,GaNにOをドーピングした二相Nb_2O_5(N)/GaN(O)光触媒を合成した。NROプロセスはNb_2O_5(N)とGaN(O)相の間のナノサイズヘテロ接合の形成を誘導した。前駆体としてのGaNbO_4の利用は純酸化ガリウムよりも窒化プロセスを促進し,一方,純窒化ニオブの酸化を遅らせ,間接遷移で2.0eV付近の望ましいバンドギャップを示す改善されたドーピング複合材料を与えた。光触媒は,可視光下で非常に高いNO除去効率(ほぼ100%)と,より毒性の高いNO_2よりもイオン種の生成に対して非常に高い選択性(89%)を示し,これは,それぞれ,高い伝導バンド最小値を有するGaN(O)相間の密接な接合,および,それぞれ,(O_2O_2)と・OHラジカルの同時発生に対して,低い価電子帯最大値を有するNb_2O_5相の間の密接な結合に関連している。NROプロセスは窒化物と酸化物を含むナノスケール二相光触媒の調製に光を当てた。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ヘテロ接合 ,  *窒化 ,  伝導バンド ,  ドーピング ,  酸化ガリウム ,  可視光 ,  ヒドロキシルラジカル ,  価電子バンド ,  前駆体 ,  *窒化ガリウム ,  *光触媒 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： ナノスケール ,  間接遷移 ,  *再酸化 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 光触媒 ,  NO除去 ,  Zスキーム ,  ヘテロ構造 ,  電荷キャリア

分類 (2件)： 光化学一般  (CB08010U) ,  触媒操作  (XE01050T)

タイトルに関連する用語 (7件)： NO ,  窒化 ,  酸化プロセス ,  調製 ,  高効率 ,  GaN ,  光触媒