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J-GLOBAL ID：202002217216534116   整理番号：20A0837040

CdリッチCdTe単結晶におけるSb,As及びPドーピングの比較:ドーピング特性,持続光伝導及び長期安定性【JST・京大機械翻訳】

Comparison of Sb, As, and P doping in Cd-rich CdTe single crystals: Doping properties, persistent photoconductivity, and long-term stability

著者 (7件)： Nagaoka Akira (Research Center for Sustainable Energy and Environmental Engineering, University of Miyazaki, Miyazaki 889-2192, Japan) ,  Nishioka Kensuke (Research Center for Sustainable Energy and Environmental Engineering, University of Miyazaki, Miyazaki 889-2192, Japan) ,  Yoshino Kenji (Department of Applied Physics and Electronic Engineering, University of Miyazaki, Miyazaki 889-2192, Japan) ,  Katsube Ryoji (Department of Materials Science and Engineering, Kyoto University, Kyoto 606-8501, Japan) ,  Nose Yoshitaro (Department of Materials Science and Engineering, Kyoto University, Kyoto 606-8501, Japan) ,  Masuda Taizo (S-Frontier Division, Toyota Motor Corporation, Shizuoka 411-0019, Japan) ,  Scarpulla Michael A. (Department of Materials Science and Engineering, University of Utah, Salt Lake City, Utah 84112, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 116  号： 13  ページ： 132102-132102-5  発行年： 2020年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： V族元素によるアクセプタドーピングCdTeは,増加した正孔濃度と開回路電圧(V_OC)を介して,CdTe光起電力素子の電力変換効率を増加させるのに有望である。過去の研究において,著者らは開発したCD-溶媒移動加熱器法を用いて成長させたCdリッチCdTe単結晶におけるAsドーピングを調べた。本研究では,結晶中のP,AsおよびSbドーパントに対する光および暗所における正孔濃度のドーピングパラメータと安定性を比較し,成長温度から熱平衡を近似するために非常にゆっくりと冷却した。Sbに対する高アクセプタイオン化エネルギーの古い報告と対照的に,温度依存Hall効果実験は,10~16cm~3の範囲のSbドーピングに対して,90meV以上のアクセプタイオン化エネルギーを明らかにした。10~16cm-3以上の室温正孔濃度がP,As,Sbに対して観測され,各ドーパント型は室温で2年以上の時間にわたって正孔濃度のわずかな変化を示した。P,AsまたはSbをドープした結晶は,ギャップ照射後に伝導率の増加を示し,これは温度に依存して数分から数時間にわたって減衰した。光伝導減衰の解析は,一連のP,As,およびSbに対する190~280meVの正孔捕獲に起因する障壁を明らかにした。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *テルル化カドミウム ,  *単結晶 ,  熱平衡 ,  ドーパント ,  *ドーピング ,  第5族元素 ,  *アンチモン ,  温度依存性 ,  *ヒ素 ,  Hall効果 ,  イオン化ポテンシャル ,  アクセプタ ,  *光伝導 ,  加熱器 ,  光起電素子

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (7件)： Cd ,  CdTe ,  単結晶 ,  Sb ,  ドーピング ,  光伝導 ,  長期安定性