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J-GLOBAL ID：202002217287034612   整理番号：20A0742837

層状結晶構造SnS_2の合成プロセスと熱電特性【JST・京大機械翻訳】

Synthesis process and thermoelectric properties of the layered crystal structure SnS₂

著者 (9件)： Chang Yi (Shenzhen Key Laboratory of Advanced Thin Films and Applications, College of Physics and Optoelectronic Engineering, Shenzhen University, Shenzhen, China) ,  Chang Yi (Faculty of Materials Science and Engineering, Kunming University of Science and Technology, Kunming, Yunnan, China) ,  Ruan Min (Shenzhen Key Laboratory of Advanced Thin Films and Applications, College of Physics and Optoelectronic Engineering, Shenzhen University, Shenzhen, China) ,  Ruan Min (College of Materials Science and Engineering, Shenzhen University, Shenzhen, China) ,  Li Fu (Shenzhen Key Laboratory of Advanced Thin Films and Applications, College of Physics and Optoelectronic Engineering, Shenzhen University, Shenzhen, China) ,  Zheng Zhuanghao (Shenzhen Key Laboratory of Advanced Thin Films and Applications, College of Physics and Optoelectronic Engineering, Shenzhen University, Shenzhen, China) ,  Chen Yuexing (Shenzhen Key Laboratory of Advanced Thin Films and Applications, College of Physics and Optoelectronic Engineering, Shenzhen University, Shenzhen, China) ,  Ge Zhenhua (Faculty of Materials Science and Engineering, Kunming University of Science and Technology, Kunming, Yunnan, China) ,  Fan Ping (Shenzhen Key Laboratory of Advanced Thin Films and Applications, College of Physics and Optoelectronic Engineering, Shenzhen University, Shenzhen, China)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 31  号： 7  ページ： 5425-5433  発行年： 2020年 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,バルクSnS_2の熱電特性について報告した。これは,広く研究されているSnSとSnSeに類似の組成と層状結晶構造を示す。メカニカルアロイング(MA)SnS_2の合成プロセスも研究した。SnS_2化合物はSnSとSの間の反応において,SnとSを原料として用いたSnSの形成後に形成された。しかし,単相SnS_2は,ミリング時間を延長したとき,Sn_2S_3が生成するので,MAによって得るのが難しいように見える。それにもかかわらず,純粋相SnS_2バルクはさらなるスパークプラズマ焼結により達成される。元のSnS_2バルクはn型伝導特性を示し,100~700μV/Kの間で中程度の絶対Seebeck係数を示した。しかし,低い性能指数ZTでは,熱電特性は,0.2S/cm以下の低い電気伝導率と1.5W/mK以上の比較的高い熱伝導率のために貧弱である。さらに,Agドーピング後,電気伝導率は向上し,熱伝導率は著しく減少した。0.01の増強ZT値を達成し,それは元のものより2倍高い。Copyright Springer Science+Business Media, LLC, part of Springer Nature 2020 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： メカニカルアロイング ,  熱伝導率 ,  銀 ,  性能指数 ,  ドーピング ,  放電プラズマ焼結 ,  *スズ ,  *結晶構造 ,  単相 ,  電気伝導率
準シソーラス用語： Seebeck係数 ,  *熱電特性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  酸化物の結晶成長  (BK13050I)

タイトルに関連する用語 (2件)： プロセス ,  熱電特性