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J-GLOBAL ID:202002217304654123   整理番号:20A2063914

AlGaN/GaN高Electron移動度トランジスタのゲートで官能化した負電荷金ナノ粒子によるグルコースの高感度検出【JST・京大機械翻訳】

High sensitivity detection of glucose with negatively charged gold nanoparticles functionalized the gate of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor
著者 (10件):
資料名:
巻: 312  ページ: Null  発行年: 2020年 
JST資料番号: B0345C  ISSN: 0924-4247  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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AlGaN/GaN系高電子移動度トランジスタ(HEMT)を用いた高感度グルコースセンサを作製した。3-アミノプロピルトリエトキシシラン(APTES)は,それらの間に共有結合を形成することによって,GaN表面に整列した。負に荷電した金ナノ粒子(AuNPs)は正に荷電したAPTES表面に効果的に自己集合できる。固定化AuNPのモルフォロジーを,剥離発光走査型電子顕微鏡(FE-SEM)によって観察した。APTES/AuNPs官能化後の化学基をX線光電子分光法(XPS)で確認した。グルコースオキシダーゼ(GOx)をAPTES/AuNPsに固定化し,静電引力によりゲート表面を官能化した。電流信号の分析から,グルコースセンサは0.001~9mMの広い検出範囲を示し,感度は1×106μAmM-1cm-2以上であった。それは8秒未満の迅速な応答時間と1nMの検出限界を示した。さらに,AuNP付着後の検出性能は,AuNPのないHEMTセンサと比較して15%増加した。見かけのMichaelis-Menten定数KMαppは約0.06mMであり,GOxのグルコースへの高い親和性を示した。従って,AuNPゲートAlGaN/GaN HEMTのための提案された戦略は,異なるバイオ分析物のバイオセンシングのための効率的な固定化プラットフォームである。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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力,仕事量,圧力,摩擦の計測法・機器  ,  トランジスタ 
物質索引 (1件):
物質索引
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