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J-GLOBAL ID：202002217813294040   整理番号：20A1235614

薄いNb膜を用いたSiウエハの原子拡散接合

Atomic diffusion bonding of Si wafers using thin Nb films

著者 (4件)： Uomoto Miyuki (Frontier Research Institute for Interdisciplinary Sciences (FRIS), Tohoku University, Sendai 980-8578, Japan) ,  Shimatsu Takehito (Frontier Research Institute for Interdisciplinary Sciences (FRIS), Tohoku University, Sendai 980-8578, Japan) ,  Shimatsu Takehito (Research Institute of Electrical Communication (RIEC), Tohoku University, Sendai 980-8577, Japan) ,  Shimatsu Takehito (Center for Spintronics Research Network (CSRN), Tohoku University, Sendai 980-8577, Japan)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 59  号： SB  ページ： SBBC04 (3pp)  発行年： 2020年02月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 薄いNb膜を用いた真空中でのSiウエハの原子拡散接合の研究は,両側に1.7~20nmの厚さのNb膜を用いて得られたSiウエハの破壊強度よりも著しく高い接合強度を明らかにした。透過型電子顕微鏡の断面像は接合界面に空孔を示さなかった。特に,結晶格子の再配列は10nm厚のNb膜の接合界面で顕著に生じた。表面粗さの減少は,厚いNb膜を使用した場合でも,接合界面での結晶格子の再配列を強化する可能性がある。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ウエハ【IC】 ,  ケイ素 ,  *拡散接合 ,  固体内拡散 ,  ニオブ ,  *金属薄膜 ,  透過型電子顕微鏡 ,  付着強さ ,  接合部 ,  結晶格子 ,  表面粗さ ,  破壊強さ
準シソーラス用語： *Siウエハ ,  原子拡散 ,  接合界面

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  金属薄膜  (BK14030T)

タイトルに関連する用語 (3件)： Nb ,  Siウエハ ,  原子拡散