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J-GLOBAL ID：202002217846170102   整理番号：20A0334901

表面エネルギー変化によるMOS_2の制御された成長【JST・京大機械翻訳】

Controlled growth of MoS₂ via surface-energy alterations

著者 (11件)： Wan Wen (Collaborative Innovation Center for Optoelectronic Semiconductors and Efficient Devices, Department of Physics, Xiamen University, Xiamen, Fujian 361005, People’s Republic of China) ,  Zhan Linjie (Collaborative Innovation Center for Optoelectronic Semiconductors and Efficient Devices, Department of Physics, Xiamen University, Xiamen, Fujian 361005, People’s Republic of China) ,  Shih Tien-Mo (Collaborative Innovation Center for Optoelectronic Semiconductors and Efficient Devices, Department of Physics, Xiamen University, Xiamen, Fujian 361005, People’s Republic of China) ,  Shih Tien-Mo (Institute for Complex Adaptive Matter, University of California, Davis, CA 95616, United States of America) ,  Zhu Zhenwei (Collaborative Innovation Center for Optoelectronic Semiconductors and Efficient Devices, Department of Physics, Xiamen University, Xiamen, Fujian 361005, People’s Republic of China) ,  Lu Jie (Collaborative Innovation Center for Optoelectronic Semiconductors and Efficient Devices, Department of Physics, Xiamen University, Xiamen, Fujian 361005, People’s Republic of China) ,  Huang Junjie (Collaborative Innovation Center for Optoelectronic Semiconductors and Efficient Devices, Department of Physics, Xiamen University, Xiamen, Fujian 361005, People’s Republic of China) ,  Zhang Yue (Collaborative Innovation Center for Optoelectronic Semiconductors and Efficient Devices, Department of Physics, Xiamen University, Xiamen, Fujian 361005, People’s Republic of China) ,  Huang Han (Institute of Super-microstructure and Ultrafast Process in Advanced Materials, School of Physics and Electronics, Central South University, Changsha, Hunan 410083, People’s Republic of China) ,  Zhang Xueao (Collaborative Innovation Center for Optoelectronic Semiconductors and Efficient Devices, Department of Physics, Xiamen University, Xiamen, Fujian 361005, People’s Republic of China) ,  Cai Weiwei (Collaborative Innovation Center for Optoelectronic Semiconductors and Efficient Devices, Department of Physics, Xiamen University, Xiamen, Fujian 361005, People’s Republic of China)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 31  号： 3  ページ： 035601 (6pp)  発行年： 2020年 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 豊富なエッジまたは高品質の均一膜を有する三角形配置における単層MoS_2は,水素発生反応に対して触媒的に活性であるか,または機能性電子およびオプトエレクトロニクスデバイスに対して柔軟である。ここでは,これら二つのタイプのMoS_2生成物がグラフェンまたはサファイア基板上に選択的に合成できることを実験的に発見した。これらは成長中の蒸気前駆体に対する異なる吸着エネルギーと拡散エネルギー障壁の両方に関連している。著者らの研究は,高品質MoS_2単分子層の表面上合成への洞察を提供するだけでなく,垂直積層および大規模面内横方向MoS_2-グラフェンヘテロ構造の成長にも適用できる。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *表面エネルギー ,  触媒 ,  単一層 ,  グラフェン ,  単分子層 ,  前駆体 ,  吸着エネルギー ,  水素発生反応
準シソーラス用語： ヘテロ構造 ,  エネルギー障壁 ,  サファイア基板 ,  光電子デバイス ,  機能性 ,  高品質 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (2件)： 表面エネルギー ,  成長