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J-GLOBAL ID：202002217989146879   整理番号：20A0746508

エッチング蒸気中のシリコンの電気化学的局所エッチング【JST・京大機械翻訳】

Electrochemical local etching of silicon in etchant vapor

著者 (4件)： Ki Bugeun (School of Integrated Technology, Yonsei University, Incheon 21983, Republic of Korea. [e-mail]) ,  Choi Keorock ,  Kim Kyunghwan ,  Oh Jungwoo
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 12  号： 11  ページ： 6411-6419  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Siの直接機械加工とインプリンティングは,マイクロ電気機械システム,ナノ電気機械システム,光学素子,およびフィン電界効果トランジスタの製造を単純化し,プロセスコストを低減するために有益である。電気化学的マイクロマシニングは高度にドープされたSiに対して導入されているが,複雑な構造は直接インプリントできない。化学的インプリンティングにより,複雑なナノ/マイクロパターンは低ドープSi上でもインプリントできるが,物理的接触はテンプレートを損傷できる。本研究では,半導体上にナノ/マイクロメータ構造を非接触で作製するための電気化学的局所エッチング(ELE)法を実証した。KOH中でのエッチングにより,高ドープn型Si上のテンプレートとして多角形チップを調製した。損傷と汚染を防ぐために間隙層を用いてテンプレートとターゲットSiの間に一定の空間を維持した。エッチング液蒸気において,テンプレートとターゲットSi間の電圧バイアスはエッチング液の凝縮をもたらす。エッチング領域はエッチング液の凝縮によって局所化されるので,低ドープ半導体さえ,単一ステップでサブミクロンパターンにインプリントできる。エッチング液の凝縮が抑制されると,エッチング面積は減少し,分解能は増加し,多角形サブマイクロメータパターンの直接インプリントを可能にした。ELEは,フォトレジストと物理的接触なしで,単一ステップで複雑なナノ/マイクロメータ構造を作る可能性を持っている。Copyright 2020 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電圧 ,  機械工作 ,  フィン ,  *電気化学 ,  *ケイ素 ,  フォトレジスト ,  エッチング液 ,  光学素子 ,  簡素化 ,  *エッチング ,  ドーピング ,  マイクロマシニング ,  刷込 ,  FET【トランジスタ】 ,  半導体

分類 (4件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  金属薄膜  (BK14030T) ,  電気化学反応  (CB07050F) ,  生物物理的研究法  (EA03020V)

タイトルに関連する用語 (4件)： エッチング ,  蒸気 ,  シリコン ,  電気化学