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J-GLOBAL ID：202002218011976786   整理番号：20A2499012

歪工学による極薄遷移金属ジカルコゲナイドの物理的性質の調整【JST・京大機械翻訳】

Tuning the physical properties of ultrathin transition-metal dichalcogenides via strain engineering

著者 (7件)： Yan Yalan (Institute for Interdisciplinary Biomass Functional Materials Studies, Jilin Engineering Normal University, No. 3050 Kaixuan Road, Changchun 130052, People’s Republic of China. [e-mail]) ,  Ding Shuang ,  Wu Xiaonan ,  Zhu Jian ,  Feng Dengman ,  Yang Xiaodong ,  Li Fangfei
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 10  号： 65  ページ： 39455-39467  発行年： 2020年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 遷移金属ジカルコゲン化物(TMD)は最近のフロンティアの1つになっており,それらの優れた電子,光学および光電特性のおかげで二次元(2D)材料分野に焦点が集まっている。ナノエレクトロニクスデバイスを開発するための需要の増大により,超薄TMDの歪工学は科学界における最新の話題となっている。近年,超薄TMDの歪工学に関する理論的および実験的研究は,高性能超薄TMDベースのデバイスを達成する新しい機会を示唆した。しかし,最近のレビューは主に実験的進歩に焦点を当て,関連する理論的研究は長い間無視されてきた。このレビューにおいて,著者らは最初に,超薄TMDにおける歪を導入するための現在採用されているアプローチを概説し,それらの特性と利点の両方を詳細に説明した。続いて,格子と電子構造の改質における最近の研究進展と,歪下の超薄TMDの物理的性質を,実験的および理論的展望の両方から系統的にレビューした。この分野で行われた多くの研究にもかかわらず,理論予測からの実験的進歩の距離の低減は,ナノ電子デバイスにおける超薄TMDの広い応用の実現において大きな課題である。Copyright 2020 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電子構造 ,  物理的性質 ,  *二次元
準シソーラス用語： ナノエレクトロニクス ,  *遷移金属ダイカルコゲナイド , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 塩  (CD01050V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 歪 ,  工学 ,  遷移金属ジカルコゲナイド ,  物理的性質