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J-GLOBAL ID：202002218042856535   整理番号：20A0281428

有望な電子特性を持つNb_2サイト_4とNb_2GeTe_4における二次元強弾性半導体【JST・京大機械翻訳】

Two-Dimensional Ferroelastic Semiconductors in Nb₂SiTe₄ and Nb₂GeTe₄ with Promising Electronic Properties

著者 (6件)： Zhang Ting (School of Physics, State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, China) ,  Ma Yandong (School of Physics, State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, China) ,  Xu Xilong (School of Physics, State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, China) ,  Lei Chengan (School of Physics, State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, China) ,  Huang Baibiao (School of Physics, State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, China) ,  Dai Ying (School of Physics, State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, China)
資料名： Journal of Physical Chemistry Letters  (Journal of Physical Chemistry Letters)
巻： 11  号： 2  ページ： 497-503  発行年： 2020年 
JST資料番号： W3687A  ISSN： 1948-7185  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 強弾性と魅力的な電子特性の結合を有する二次元結晶は,長く求められる制御可能なデバイスを達成するための前例のない機会を提供する。しかし,今日まで,報告された提案は主に仮想構造に基づいている。ここでは,第一原理計算を用いて,有望な候補として,層状バルクから剥離できる単層Nb_2ATe_4(A=Si,Ge)を同定した。単層Nb_2ATe_4は動的,熱的,化学的に安定であることが分かった。それは,高い可逆的強弾性歪と中程度の強弾性遷移エネルギー障壁を有する優れた強弾性を有し,それは実用化に有益である。一方,異方性キャリア移動度と光学特性を含む顕著な異方性電子特性を持つ。より重要なことに,単層Nb_2ATe_4の異方性特性は,強弾性スイッチングを通して効率的に制御できる。実験的実現可能性と組み合わせたこれらの魅力的性質は,単層Nb_2ATe_4を,制御可能な装置を実現するための異常なプラットフォームとした。Copyright 2020 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 単一層 ,  *二次元 ,  光学的性質 ,  遷移エネルギー ,  *半導体 ,  *強弾性 ,  キャリア移動度 ,  異方性 ,  スイッチング
準シソーラス用語： 弾性歪 ,  第一原理計算 ,  二次元結晶 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 分子の電子構造  (BH05010Q) ,  塩  (CD01050V)

タイトルに関連する用語 (2件)： 電子 ,  強弾性