文献

J-GLOBAL ID：202002218087770696   整理番号：20A0521873

溶液支援法により作製した高移動度フレキシブルオキシセレニド薄膜トランジスタ【JST・京大機械翻訳】

High-Mobility Flexible Oxyselenide Thin-Film Transistors Prepared by a Solution-Assisted Method

著者 (14件)： Zhang Congcong (Center for Nanochemistry, Beijing Science and Engineering Center for Nanocarbons, Beijing National Laboratory for Molecular Sciences, College of Chemistry and Molecular Engineering, Peking University, China) ,  Wu Jinxiong (Center for Nanochemistry, Beijing Science and Engineering Center for Nanocarbons, Beijing National Laboratory for Molecular Sciences, College of Chemistry and Molecular Engineering, Peking University, China) ,  Wu Jinxiong (Tianjin Key Lab for Rare Earth Materials and Applications, Center for Rare Earth and Inorganic Functional Materials, School of Materials Science and Engineering, National Institute for Advanced Materials, Nankai University, China) ,  Sun Yuanwei (International Center for Quantum Materials, Electron Microscopy Laboratory, School of Physics, Peking University, China) ,  Sun Yuanwei (Collaborative Innovation Center of Quantum Matter, China) ,  Tan Congwei (Academy for Advanced Interdisciplinary Studies, Peking University, China) ,  Li Tianran (Center for Nanochemistry, Beijing Science and Engineering Center for Nanocarbons, Beijing National Laboratory for Molecular Sciences, College of Chemistry and Molecular Engineering, Peking University, China) ,  Tu Teng (Center for Nanochemistry, Beijing Science and Engineering Center for Nanocarbons, Beijing National Laboratory for Molecular Sciences, College of Chemistry and Molecular Engineering, Peking University, China) ,  Zhang Yichi (Center for Nanochemistry, Beijing Science and Engineering Center for Nanocarbons, Beijing National Laboratory for Molecular Sciences, College of Chemistry and Molecular Engineering, Peking University, China) ,  Liang Yan (Center for Nanochemistry, Beijing Science and Engineering Center for Nanocarbons, Beijing National Laboratory for Molecular Sciences, College of Chemistry and Molecular Engineering, Peking University, China) ,  Zhou Xuehan (Center for Nanochemistry, Beijing Science and Engineering Center for Nanocarbons, Beijing National Laboratory for Molecular Sciences, College of Chemistry and Molecular Engineering, Peking University, China) ,  Gao Peng (International Center for Quantum Materials, Electron Microscopy Laboratory, School of Physics, Peking University, China) ,  Gao Peng (Collaborative Innovation Center of Quantum Matter, China) ,  Peng Hailin (Center for Nanochemistry, Beijing Science and Engineering Center for Nanocarbons, Beijing National Laboratory for Molecular Sciences, College of Chemistry and Molecular Engineering, Peking University, China)
資料名： Journal of the American Chemical Society  (Journal of the American Chemical Society)
巻： 142  号： 6  ページ： 2726-2731  発行年： 2020年 
JST資料番号： C0254A  ISSN： 0002-7863  CODEN： JACSAT  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元(2D)半導体は,それらの固有の柔軟性と高い電気性能のために,柔軟なエレクトロニクスにおいて大きな有望性を保持している。しかし,高移動度2D半導体薄膜の容易な合成とそれに続くデバイス作製アプローチの欠如は,それらの実用的な応用をまだ妨げている。本論文では,Bi-(NO_3)_3の前駆体溶液のセレン化と分解による高移動度半導体オキシセレン化物(Bi_2O_2Se)薄膜の合成のための容易で迅速で拡張可能な溶液支援法を開発した。前駆体溶液のスピンコーティングにおける回転速度を変化させることにより,Bi_2O_2Se薄膜の厚さを数原子層まで正確に制御できた。合成したままのBi_2O_2Se薄膜は,室温で約74cm2V~-1s-1の高いHall移動度を示し,遷移金属ジカルコゲニドのような他の2D薄膜半導体よりはるかに優れていた。注目すべきことに,柔軟なトップゲートBi_2O_2Seトランジスタは,平坦および湾曲基板上での繰り返し電気測定下で優れた電気安定性を示した。さらに,白雲母基板上のBi_2O_2Seトランジスタ素子は,熱放出テープの助けを借りて,柔軟なポリ塩化ビニル(PVC)基板上に容易に転写できる。フレキシブル基板上への高移動度薄膜半導体,優れた安定性,および容易な移動の統合は,Bi_2O_2Seを将来のフレキシブルエレクトロニクスのための競争的候補にする。Copyright 2020 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 半導体 ,  回転数 ,  前駆体 ,  フレキシブル基板 ,  電気測定 ,  Hall移動度 ,  電子技術 ,  *薄膜 ,  電気特性 ,  熱放射 ,  *トランジスタ ,  スピンコーティング ,  *薄膜トランジスタ ,  半導体薄膜 ,  二次元

分類 (1件)： 塩  (CD01050V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 溶液 ,  支援 ,  作製 ,  高移動度 ,  薄膜トランジスタ