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J-GLOBAL ID：202002218113433599   整理番号：20A0138682

定量的ナノスケール吸収マッピング:二次元材料の光吸収を調べるための新しい技術【JST・京大機械翻訳】

Quantitative Nanoscale Absorption Mapping: A Novel Technique To Probe Optical Absorption of Two-Dimensional Materials

著者 (12件)： Negri Marco (Institute of Materials, Faculty of Engineering, Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, Switzerland) ,  Francaviglia Luca (Institute of Materials, Faculty of Engineering, Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, Switzerland) ,  Dumcenco Dumitru (Institute of Materials, Faculty of Engineering, Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, Switzerland) ,  Dumcenco Dumitru (Electrical Engineering Institute, Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), Switzerland) ,  Bosi Matteo (Institute for Materials for Electronics and Magnetism (IMEM-CNR), Italy) ,  Kaplan Daniel (Fuze Precision Armaments and Technology Directorate, U.S. Army RDECOM-ARDEC, New Jersey, United States) ,  Swaminathan Venkataraman (Fuze Precision Armaments and Technology Directorate, U.S. Army RDECOM-ARDEC, New Jersey, United States) ,  Salviati Giancarlo (Institute for Materials for Electronics and Magnetism (IMEM-CNR), Italy) ,  Kis Andras (Electrical Engineering Institute, Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), Switzerland) ,  Fabbri Filippo (NEST, Istituto Nanoscienze-CNR, Scuola Normale Superiore, Italy) ,  Fontcuberta i Morral Anna (Institute of Materials, Faculty of Engineering, Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, Switzerland) ,  Fontcuberta i Morral Anna (Institute of Physics, Faculty of Basic Sciences, Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, Switzerland)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 20  号： 1  ページ： 567-576  発行年： 2020年 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元半導体,特に遷移金属ジカルコゲニドおよび関連するヘテロ構造は,次世代の電子およびオプトエレクトロニクス応用のための潜在的な新しい構築ブロックを構成するので,関心が高まっている。本研究では,二次元材料の吸収特性をマッピングするための新しい非破壊的非接触技術を開発した。ナノスケール分解能でサファイアと酸化シリコン上に得られたMoS_2とMoSe_2単分子層の定量的吸収をマップした。この方法をMoS_2/MoSe_2van der Waalsヘテロ構造の吸収特性の特性化に拡張した。層間励起子現象がUV範囲での吸収を増強することを実証した。著者らの技術は,結晶粒界やad-層などの欠陥の存在も強調する。異なる合体角度での単層MoS_2における結晶粒界の吸収に関する測定を行った。60°回転単分子層に関してランダム配向単分子層の高い吸収収率を観測した。この研究は,ナノスケールでの機能的性質の二次元半導体を特性化する新しい可能性を開く。Copyright 2020 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： キャラクタリゼーション ,  単分子層 ,  酸化ケイ素 ,  励起子 ,  *光吸収 ,  結晶粒界 ,  分解能 ,  オプトエレクトロニクス ,  単一層 ,  サファイア
準シソーラス用語： ランダム配向 ,  非接触 ,  ヘテロ構造 ,  二次元材料 ,  *ナノスケール , 【Automatic Indexing@JST】

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分類 (4件)： 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (5件)： 定量 ,  ナノスケール ,  マッピング ,  二次元材料 ,  光吸収