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J-GLOBAL ID：202002218121104474   整理番号：20A2365254

高濃度アンモニアを錯化剤として用いたP型PbSeナノ結晶膜【JST・京大機械翻訳】

P-type PbSe nanocrystalline films fabricated using high concentration of ammonia as complexing agent

著者 (6件)： Zhu Yuan (School of Materials Science and Engineering, Jiangsu University, Zhenjiang 212013, China) ,  Zhang Xiangzhao (School of Materials Science and Engineering, Jiangsu University, Zhenjiang 212013, China) ,  Liu Guiwu (School of Materials Science and Engineering, Jiangsu University, Zhenjiang 212013, China) ,  Yang Jian (School of Materials Science and Engineering, Jiangsu University, Zhenjiang 212013, China) ,  Qiao Guanjun (School of Materials Science and Engineering, Jiangsu University, Zhenjiang 212013, China) ,  Liu Junlin (School of Materials Science and Engineering, Jiangsu University, Zhenjiang 212013, China)
資料名： Materials Letters  (Materials Letters)
巻： 281  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： E0935A  ISSN： 0167-577X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： P型PbSeナノ結晶膜を,錯化剤として高濃度アンモニアを用いて,化学浴法によりガラス基板上に最初に堆積させた。PbSe膜の結晶粒形態,厚さおよびPb/Se比に及ぼすガラス基板の堆積時間およびHF処理時間の影響を調べた。成長メカニズムの変態により堆積時間を延長すると,粒径が最初に減少し,次に増加し,HF処理が結晶粒の成長および膜厚の増加を効果的に促進することを実証した。最適試料は,1.36eVの光学バンドギャップ,7.48×1017/cm3のキャリア濃度,34.9cm2/Vの移動度および0.238Ωcmの抵抗率を有した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 移動度 ,  電気抵抗率 ,  薄膜 ,  加工時間 ,  *鉛 ,  *セレン ,  *アンモニア ,  結晶粒 ,  キャリア密度 ,  *セレン化鉛 ,  光学ギャップ ,  *ナノ結晶
準シソーラス用語： *錯化剤 ,  ガラス基板 ,  *高濃度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 薄膜 ,  微細構造 ,  堆積 ,  半導性特性

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高濃度 ,  アンモニア ,  錯化剤 ,  PbSe ,  ナノ結晶