奇数の層数を持つAB積層多層グラフェンにおける固有抵抗ピーク【JST・京大機械翻訳】

Nakasuga Tomoaki; Hirahara Taiki; Horii Kota; Ebisuoka Ryoya; Tajima Shingo; Watanabe Kenji; Taniguchi Takashi; Yagi Ryuta

文献

J-GLOBAL ID：202002218166211596 整理番号：20A0283920

奇数の層数を持つAB積層多層グラフェンにおける固有抵抗ピーク【JST・京大機械翻訳】

Intrinsic resistance peaks in AB-stacked multilayer graphene with odd number of layers

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資料名：
巻： 101 号： 3 ページ： 035419 発行年： 2020年
JST資料番号： D0746A ISSN： 2469-9950 CODEN： PRBMDO 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

キャリア密度と垂直磁束密度に関する抵抗のプロットに現れる抵抗リッジ構造を測定するために,奇数の層数を持つAB積層多層グラフェンのバンド構造を調べた。抵抗リッジは層数のパリティに依存して定性的に異なる構造を示し,単分子層様バンドの存在または不在を決定することが分かった。垂直電場において,ほぼ平坦なバンド(または,重い質量バンド)の対が,エネルギーギャップの形成のために,バイレーヤ様バンドの底に形成され,層の偶数の数において,分割抵抗リッジ構造をもたらす。しかし,奇数の層を持つAB積層グラフェンに存在する単分子層様バンドは,二層様バンドとハイブリッド化する。ほぼ平坦なバンドの数,従って抵抗リッジの数は,偶数の層を持つAB積層グラフェンの場合と比較して減少した。混合は単分子層様バンドの底でエネルギーギャップを開いた。抵抗リッジは多層グラフェンの分散関係に関する詳細な情報を提供する。Copyright 2020 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

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半導体結晶の電子構造

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