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J-GLOBAL ID：202002218186883912   整理番号：20A2552127

2レベル航空宇宙モータ駆動応用におけるSiとSiCのEMIと効率の比較【JST・京大機械翻訳】

Comparison of Si and SiC EMI and Efficiency in a Two-Level Aerospace Motor Drive Application

著者 (6件)： Perdikakis William (The Ohio State University, Columbus, OH, USA) ,  Scott Mark J. (Miami University, Oxford, OH, USA) ,  Yost Kevin J. (Air Force Research Laboratory, Wright-Patterson Air Force Base, OH, USA) ,  Kitzmiller Chase (UES, Inc., Dayton, OH, USA) ,  Hall Bailey (The Ohio State University, Columbus, OH, USA) ,  Sheets Katherine A. (Air Force Research Laboratory, Wright-Patterson Air Force Base, OH, USA)
資料名： IEEE Transactions on Transportation Electrification  (IEEE Transactions on Transportation Electrification)
巻： 6  号： 4  ページ： 1401-1411  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2449A  ISSN： 2332-7782  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電力エレクトロニクスは,より多くの電気航空機(MEA)応用における重要な要素である。既存のハードウェアは,ほとんど排他的にシリコン(Si)ベースである。しかし,半導体技術の最近の進歩は,航空宇宙応用に適した電流評価を有する炭化ケイ素(SiC)部品をもたらした。これらのデバイスは,Siベースハードウェア上の電力密度を増加させ,性能を向上させることができる。高スイッチング速度はSiCデバイスの特性であり,電磁干渉(EMI)への影響に関して多くの懸念がある。これは,EMI標準に適合する大きなEMIフィルタを必要とし,それは,電力密度を減少させ,SiCの利益を否定するであろう。次の研究は,効率とEMIの間のトレードオフを調査した。2つの高出力三相変換器の性能を比較した:SiC MOSFETsとSi IGBTsから構築されたもの。テストセットアップは,40kVAの航空宇宙定格機械と同様に,ソーシングと再生シンク電力の250kW駆動スタンドから成る。1.5p.uを超える電力レベルで270-Vdcのバス電圧で実験結果を得た。この知見は,SiC変換器によるMIL-STD-461の下で,SiとSiCに対して同等のEMI性能を実証し,より高い効率を達成した。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電圧 ,  電流 ,  フィルタ ,  変換器 ,  航空機 ,  電力 ,  *ケイ素 ,  *炭化ケイ素 ,  定格 ,  電磁干渉 ,  ハードウェア ,  *電動機駆動 ,  パワーエレクトロニクス
準シソーラス用語： 電力密度 ,  スイッチング速度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 移動通信  (ND08030H) ,  図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (6件)： 航空宇宙 ,  モータ駆動 ,  応用 ,  Si ,  SiC ,  EMI