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J-GLOBAL ID：202002218236313441   整理番号：20A0425271

注入半導体における多種事象クラスタを見つけるための不均一点過程統計の使用【JST・京大機械翻訳】

Using non-homogeneous point process statistics to find multi-species event clusters in an implanted semiconductor

著者 (5件)： Stockbridge K (Advanced Technology Institute, University of Surrey, Guildford, GU2 7XH, United Kingdom) ,  Chick S (Advanced Technology Institute, University of Surrey, Guildford, GU2 7XH, United Kingdom) ,  Crane E (London Centre for Nanotechnology, UCL, London, WC1H 0AH, United Kingdom) ,  Fisher A (London Centre for Nanotechnology, UCL, London, WC1H 0AH, United Kingdom) ,  Murdin B N (Advanced Technology Institute, University of Surrey, Guildford, GU2 7XH, United Kingdom)
資料名： Journal of Physics Communications  (Journal of Physics Communications)
巻： 4  号： 1  ページ： 015010 (10pp)  発行年： 2020年 
JST資料番号： W5564A  ISSN： 2399-6528  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 事象に対するイベントの半径方向距離のPoisson分布は,位置や時間に依存しない均一な過程に対して良く知られている。ここでは,イベント確率(従って近傍構成)がイベント空間内の位置に依存する非均一点過程の事例を調べた。注入された不純物間の相互作用を調べる目的で,半導体へのイオン注入に対する関心のある特別な不均一シナリオを示した。最近接距離に基づく簡単なクラスタの確率を計算し,量子ビットゲートに対する関心のある特定の2種クラスタに特化した。二つの種が異なる深さで注入されると,クラスタ確率と最適密度分布に最大値があることを示した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： Poisson分布 ,  *半導体 ,  イオン注入 ,  相互作用 ,  *クラスタ ,  密度分布 ,  半径方向 ,  不純物
準シソーラス用語： 量子ビット ,  *点過程 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 原子・分子のクラスタ  (BH09030O)

タイトルに関連する用語 (7件)： 注入 ,  多種 ,  事象 ,  クラスタ ,  不均一 ,  点過程 ,  統計