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J-GLOBAL ID：202002218623198021   整理番号：20A1973615

248nm深紫外フォトレジスト用成膜樹脂の研究進展【JST・京大機械翻訳】

Development of Matrix Resins for 248 nm Deep UV Photoresist

著者 (3件)： Wei Zibo (中国石油化工股fen有限公司北京化工研究院燕山分院,北京102500;橡塑新型材料合成国家工程研究中心,北京102500) ,  Ma Wenchao (中国石油化工股fen有限公司北京化工研究院燕山分院,北京102500;橡塑新型材料合成国家工程研究中心,北京102500) ,  Qiu Yingxin (中国石油化工股fen有限公司北京化工研究院燕山分院,北京102500;橡塑新型材料合成国家工程研究中心,北京102500)
資料名： Yingxiang Kexue Yuguanghuaxue  (Yingxiang Kexue Yuguanghuaxue)
巻： 38  号： 3  ページ： 430-435  発行年： 2020年 
JST資料番号： C3040A  ISSN： 1674-0475  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 248nm化学増幅型深紫外フォトレジストの異なる種類と構造の成膜樹脂、及び使用単量体の研究開発の進展について、ポリメタクリル酸メチル及びその誘導体、ポリ(p-ヒドロキシスチレン)及びその誘導体、N置換マレイミド誘導体、その他ポリマーなどを含め、総説した。異なる構造形成樹脂の露光条件、フォトレジスト性能への影響を紹介した。Data from Wanfang. Translated by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 重合体 ,  ポリメタクリル酸メチル ,  *フォトレジスト ,  露光 ,  単量体
準シソーラス用語： *深紫外線 ,  *薄膜形成 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 深紫外 ,  フォトレジスト ,  成膜 ,  研究 ,  進展