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J-GLOBAL ID:202002218669275601   整理番号:20A2773759

ナノスケールCu(tCu)/[Co/Ni]N垂直多層における温度依存磁化動力学:スピントロニクス応用への含意【JST・京大機械翻訳】

Temperature-Dependent Magnetization Dynamics in Nanoscale Cu(tCu)/[Co/Ni]N Perpendicular Multilayers: Implications for Spintronic Applications
著者 (4件):
資料名:
巻:号: 11  ページ: 11555-11561  発行年: 2020年 
JST資料番号: W5033A  ISSN: 2574-0970  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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垂直磁気異方性(PMA)を有する磁性多層はスピントロニクス応用の開発において顕著な利点を有する。しかし,現在,磁化動力学の温度(T)依存性に関する研究は主に面内磁化強磁性材料に集中している。本研究では,時間分解磁気光学Kerr効果法により,ナノスケールCu-(t_Cu)/[Co/Ni]_N垂直多層について,有効PMA場H_keffおよび固有磁気減衰因子α_0の磁気特性を,種々のTで調べた。H_keffとα_0の両方が,N=2と5の薄膜でT180Kでピーク値を示す。H_k_effの非単調変化は,低いTでのPMA定数K_uと飽和磁化の増加の間の競合に起因し,一方,α_0の変化は,Cu/Co界面での磁気死層(MDL)におけるスピンゆらぎから主に起こるK_uの増加および2つのマグノン散乱の減少に起因する。対照的に,厚い十分な磁性層を有するN=8の試料では,K_uは測定温度範囲内で観察された変化挙動において支配的な役割を果たし,Tの減少に伴ってH_keffとα_0が単調に増加した。著者らの結果は,磁化動力学が低Tで界面MDLに非常に敏感であり,それは情報操作の超高速制御による実用的なスピントロニクスデバイスの応用に重要であることを明らかにした。Copyright 2020 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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磁性材料 

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