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J-GLOBAL ID：202002218675214763   整理番号：20A1445961

極性,半極性および非極性AlGaNのパルス流成長【JST・京大機械翻訳】

Pulsed-flow growth of polar, semipolar and nonpolar AlGaN

著者 (5件)： Dinh Duc V. (Institute of Materials and Systems for Sustainability, Nagoya University, Nagoya 464-8601, Japan. [e-mail]) ,  Hu Nan ,  Honda Yoshio ,  Amano Hiroshi ,  Pristovsek Markus
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 8  号： 25  ページ： 8668-8675  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 極性(0001),半極性(101×√3)および(112×√2)のアルミニウム取込みに及ぼすパルス流成長の影響ならびに非極性(101>550)AlGaN層を調べた。金属-有機気相エピタキシーにより異なる配向AlN/サファイアテンプレート上に層を同時に成長させた。層のAlNモル分率(0<x_AlN≦0.85)は,窒素とガリウム前駆体を一定に保ちながら,アルミニウム前駆体の供給時間を変えるだけで変化した。相分離はX線回折により(0001)と(112×√2)層で観察され,成長中の異なる表面再構成に起因した。対照的に,成長中のそれらの安定な表面に起因して,(101>550)および(101>3)層に対して相分離は観察されなかった。異なる配向層のAlNモル分率は,一般に,それらの異なる表面ダングリングボンド密度に起因して,(112×√2)<(0001)<(101≦√3)≦(101≦550)の順序に従う。室温光ルミネセンス測定により,高い炭素取込が全ての層において定量的に見出された。Copyright 2020 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  気相成長 ,  アルミニウム ,  ガリウム ,  炭素 ,  窒素 ,  X線回折分析 ,  相分離 ,  *パルス ,  前駆体 ,  窒化アルミニウム ,  ダングリングボンド ,  表面再構成
準シソーラス用語： 配向膜 ,  *窒化アルミニウムガリウム ,  半極性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  金属薄膜  (BK14030T)

タイトルに関連する用語 (6件)： 極性 ,  半極性 ,  非極性 ,  AlGaN ,  パルス ,  成長