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J-GLOBAL ID：202002218823807618   整理番号：20A0288339

Ramanスペクトルを用いた広バンドギャップ窒素空格子点ダイヤモンド/Siヘテロ構造における電子輸送特性【JST・京大機械翻訳】

The electronic transport characteristics in wide band-gap nitrogen vacancy diamond/Si hetero-structure using Raman spectrum

著者 (3件)： Ren Ren (Department of Physics, Xi’an Jiaotong University, Xian 710049, China) ,  Li Xuan (Department of Physics, Xi’an Jiaotong University, Xian 710049, China) ,  Yunwen J.Y. (Department of Physics, Xi’an Jiaotong University, Xian 710049, China)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 532  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ダイヤモンド中の負に帯電した窒素空格子点中心は,量子測定応用のための理想的な高感度検出器である。面心立方ダイヤモンド/Si(100)膜におけるRaman活性フォノンおよび非弾性光散乱は,種々の散乱配置およびNV濃度におけるRamanスペクトルによって主に研究された。作製したダイヤモンド(100)薄膜をMPCVDを用いてSi(100)基板上にエピタキシャル成長させた。異なる厚さのナノ構造を持つダイヤモンド/Si(100)ヘテロ構造のRaman散乱スペクトルを,相転移のスピン軌道輸送動力学を調べるために提示した。15~300Kの温度範囲とNVの濃度のような種々の条件でダイヤモンドヘテロ接合実験を行った。その結果,1332cm-1のDモードにおける強いピークは,ダイヤモンドのE_2g,ならびにナノダイヤモンドに対応する広いバンドF_2g対称Gモードのピーク1550cm-1を示した。不規則なグラファイト状炭素は不規則なSP2混成によって形成される。1132cm-1と1480cm-1は,膜粒界内の水素結合に対応している。ダイヤモンドsp2含有量の移動はCCピークから抽出され,sp3スピン関連効果に変換された。ダイヤモンド/Si(100)PDOSはSP3とpおよびd軌道混成のスピン関連対を示した。研究は,ダイヤモンド/Si(100)膜のRaman活性スペクトルと非弾性光散乱のより良い理解をもたらし,ダイヤモンドヘテロ構造と高k酸化物ゲート構造,磁力計,温度計,および光スイッチング微小電気機械システム(MEMS)デバイスを用いた,深紫外線光センサ,ジャイロスコープ,電界効果トランジスタ(FET)におけるより良い軌道混成材料設計の指針を提供する。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： Raman散乱 ,  配位混合 ,  結晶粒界 ,  相転移 ,  対称性 ,  *Ramanスペクトル ,  磁力計 ,  ヘテロ接合 ,  グラファイト ,  *ダイヤモンド ,  *バンドギャップ ,  フォノン ,  ナノ構造 ,  薄膜 ,  酸化物

著者キーワード (6件)： A1 表面 ,  A1 欠陥 ,  B2 磁性材料 ,  A1 拡散 ,  A1 相平衡 ,  A1 表面構造

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (8件)： Ramanスペクトル ,  バンドギャップ ,  窒素空格子点 ,  ダイヤモンド ,  Si ,  ヘテロ構造 ,  電子 ,  輸送特性