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J-GLOBAL ID：202002218854211355   整理番号：20A0405395

準1D層状TIS_3からの異方性赤外発光【JST・京大機械翻訳】

Anisotropic infrared light emission from quasi-1D layered TiS₃

著者 (10件)： Khatibi Ali (Department Physics, Shahid Beheshti University, G.C., Evin, Tehran 19839, Iran) ,  Khatibi Ali (Department Applied Physics and Institute for Photonic Integration, Eindhoven University of Technology, 5600 MB Eindhoven, The Netherlands) ,  Khatibi Ali (Author to whom any correspondence should be addressed.) ,  Godiksen Rasmus H (Department Applied Physics and Institute for Photonic Integration, Eindhoven University of Technology, 5600 MB Eindhoven, The Netherlands) ,  Basuvalingam Saravana Balaji (Department Applied Physics and Institute for Photonic Integration, Eindhoven University of Technology, 5600 MB Eindhoven, The Netherlands) ,  Pellegrino Daniele (Department Applied Physics and Institute for Photonic Integration, Eindhoven University of Technology, 5600 MB Eindhoven, The Netherlands) ,  Bol Ageeth A (Department Applied Physics and Institute for Photonic Integration, Eindhoven University of Technology, 5600 MB Eindhoven, The Netherlands) ,  Shokri Babak (Department Physics, Shahid Beheshti University, G.C., Evin, Tehran 19839, Iran) ,  Curto Alberto G (Department Applied Physics and Institute for Photonic Integration, Eindhoven University of Technology, 5600 MB Eindhoven, The Netherlands) ,  Curto Alberto G (Author to whom any correspondence should be addressed.)
資料名： 2D Materials  (2D Materials)
巻： 7  号： 1  ページ： 015022 (8pp)  発行年： 2020年 
JST資料番号： W5550A  ISSN： 2053-1583  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 原子的に薄い半導体は,それらの強い光吸収と発光のために,ナノスケールのフォトニックとオプトエレクトロニクスデバイスに対して大きな可能性を持っている。進歩にもかかわらず,集積フォトニクスにおけるそれらの応用は,特に電磁スペクトルの赤外部分に放出される安定な層状半導体の欠如によって妨げられている。ここでは,準-1D鎖から成る層状van der Waals材料である三硫化チタン(TiS_3)が約0.91eV(1360nm)を中心とする近赤外光を放出することを示した。その光ルミネセンスは直線偏光異方性と210psの発光寿命を示した。低温では,励起子と欠陥に起因する反対の直線偏光と2つのスペクトル寄与を区別した。さらに,励起パワーと温度への依存性は,自由および束縛励起子がそれぞれ高温および低温で励起子発光を支配することを示唆した。著者らの結果は,通信波長で動作するオプトエレクトロニクスとナノフォトニック素子のための安定な半導体としてのTiS_3の有望な特性を実証した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 光吸収 ,  *一次元 ,  温度依存性 ,  *発光 ,  低温 ,  直線偏光 ,  電波 ,  光ルミネセンス ,  高温 ,  スペクトル ,  半導体 ,  励起子 ,  励起 ,  オプトエレクトロニクス ,  *赤外線 ,  近赤外線

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  塩  (CD01050V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 1D ,  層状 ,  異方性 ,  赤外