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J-GLOBAL ID：202002218872377438   整理番号：20A0700350

高濃度H₂O₂ガス供給装置(Peroxidizer)を用いたALD成膜プロセス

Atomic Layer Deposition Using a Novel High Concentration H₂O₂ Gas Delivery System

著者 (6件)： 土渕岳 (大陽日酸) ,  安達啓輔 (大陽日酸) ,  村田逸人 (大陽日酸) ,  ALVAREZ Daniel, Jr. (RASIRC Inc.) ,  SPIEGELMAN Jeffery (RASIRC Inc.) ,  鈴木克昌 (大陽日酸)
資料名： 大陽日酸技報(Web)  (Taiyo Nippon Sanso Technical Report (Web))
号： 38  ページ： 16-21 (WEB ONLY)  発行年： 2020年02月 
JST資料番号： U0260A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： H₂O₂ガスは次世代の半導体製造プロセス向けの新しい酸化剤として期待されている。本稿ではH₂O₂ガスのALD成膜プロセスへの適用可否を検討した。一般的に,ALD法は,段差被覆性に優れた成膜が可能な一方で,成膜速度(GPC)が遅いという課題がある。我々は,高濃度H₂O₂ガスを安定供給できるPeroxidizerを使用することで,良好な膜質と高スループットの両立を達成した。具体的には,成膜温度:300°CでAl₂O₃を成膜したとき,H₂Oガス使用時と比較してGPCが10%,絶縁破壊強度が14%向上した。また,成膜温度:150°CでTiO₂を成膜したとき,H₂Oガス使用時と比較してGPCが14%,希フッ酸耐性が58%向上した。(著者抄録)

シソーラス用語： 化学蒸着 ,  単原子層 ,  *過酸化水素 ,  酸化アルミニウム ,  *薄膜成長 ,  成長速度 ,  絶縁耐力 ,  耐化学性 ,  フッ化水素
準シソーラス用語： *ALD【蒸着】

分類 (1件)： 薄膜成長技術・装置  (BK14020I)

引用文献 (4件)：

• 安達啓輔, 高濃度化酸化水素ガス供給装置-Peroxidizer^®, 大陽日酸技報, No.38, 2019
• Anu Philip et al., Pramana - J. Phys., Vol. 82, No. 3, 2014
• Dan Alvarez Jr. et al., Peroxide Gas Delivery for Semiconductor Manufacturing : Optimal Delivery Condition for ALD Process, ALD2017 USA
• Rajesh Katamreddy et al., ECS Transaction, 16(4), p113-122, 2008

タイトルに関連する用語 (5件)： 高濃度 ,  H2O2 ,  ガス供給装置 ,  ALD ,  成膜プロセス