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J-GLOBAL ID：202002219097817796   整理番号：20A1137792

典型的な国産双極プロセス宇宙飛行用スタビライザー単一粒子ラッチング効果研究【JST・京大機械翻訳】

Research on Single Event Latch-up of Typical Domestic Bipolar Process Regulator for Aerospace

著者 (8件)： Wang Bo (上海精密計量測試研究所,上海,201109) ,  Luo Yuhua (上海精密計量測試研究所,上海,201109) ,  Liu Weixin (上海精密計量測試研究所,上海,201109) ,  Kong Zebin (上海精密計量測試研究所,上海,201109) ,  Lou Jianshe (上海精密計量測試研究所,上海,201109) ,  Peng Kewu (中国電子科技集団有限公司第二十四研究所,重慶,400060) ,  Fu Xiaojun (中国電子科技集団有限公司第二十四研究所,重慶,400060) ,  Wei Xifeng (上海衛星工程研究所,上海,201109)
資料名： Yuhang Xuebao  (Yuhang Xuebao)
巻： 41  号： 2  ページ： 245-250  発行年： 2020年 
JST資料番号： C2003A  ISSN： 1000-1328  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： ある国産双極プロセス宇航用レギュレーターに対して異なるLET値重イオン照射実験を行い、リアルタイムで装置の出力電圧の変化幅とデバイス供給管脚電流を監視し、デバイスの単粒子効果性能を正確に評価した。結果は,単一粒子過渡効果閾値が5MeVcm2mg-1以下であり,照射重イオンLET値が37.37MeVcm2mg-1に増加すると,単一粒子ラッチング効果が生じることを示した。デバイスの供給管脚電流は6mAから24mAに急増した。重イオン試験データを分析した上で、パルスレーザにより、デバイスの内部単一粒子効果敏感区域の位置と構造特徴を獲得した。解析では、チップ内部の複数の機能モジュールが一つの隔離島を共有するため、同じ隔離島内のデバイスの間に形成された寄生PNP管と隔離島内のNPN管はPN制御可能なシリコン構造を形成し、入射重イオンLET値が十分大きい時、寄生PN構造の導通を誘発する。ロック状態に入った。アナログソフトウェアSpectreを用いて、電気パラメータ級の過渡故障注入シミュレーションを実現し、このバイポーラプロセス構造における単一粒子ラッチング効果現象を再現した。Data from Wanfang. Translated by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： シミュレーション ,  電流 ,  ケイ素 ,  スタビライザ ,  *宇宙飛行 ,  パルスレーザ ,  重イオン ,  構造特性 ,  重イオン照射
準シソーラス用語： 過渡故障 ,  単一粒子 ,  出力電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 宇宙飛行体  (QK08000Y) ,  計器,誘導・制御装置一般  (QK05010O)

タイトルに関連する用語 (6件)： 国産 ,  プロセス ,  宇宙飛行 ,  スタビライザー ,  単一粒子 ,  研究