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J-GLOBAL ID:202002219272727319   整理番号:20A2475099

金属-絶縁体転移内のV_2O_3膜におけるパーコレーションとナノ秒ゆらぎ【JST・京大機械翻訳】

Percolation and nanosecond fluctuators in V2O3 films within the metal-insulator transition
著者 (5件):
資料名:
巻:号: 10  ページ: 101103-101103-8  発行年: 2020年 
JST資料番号: U7122A  ISSN: 2166-532X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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バナジウムセスキド(V_2O_3)は,低温,単斜晶,反強磁性Mott絶縁体と高温,菱面体晶,常磁性,金属相の間の160Kで金属-絶縁体転移(MIT)を示す。薄膜では,相共存の有限温度範囲でパーコレーション転移が起こる。低周波(最大100kHz)と無線周波数(10MHzと1GHzの間)での電圧雑音スペクトルを測定することにより,このパーコレーションMITの変動動力学を研究した。バイアスにおける雑音強度二次は,電流によって非摂動的に探査された抵抗変動に対して予測されるように,MIT領域で観察された。低周波雑音はフリッカ型1/fβ雑音に似ており,絶縁相の体積分率が支配するので,しばしば,少数のフルクチュータが支配するLorentz雑音の形を取り入れた。また,バイアス電流における無線周波数雑音強度は,1ns以下の寿命による抵抗変動の同定を可能にし,遷移の非平衡ポンププローブ研究に見られる時間スケールに近づいた。浸透画分における変動に対するモデルと定量的整合性を見出した。MITの熱力学は,支配的な変動がドメイン境界の連結性に影響する小さな体積を変化させるものであることを示唆する。このノイズは,このシステムにおけるスイッチング現象の動力学のための高感度かつ非摂動的プローブとして機能する。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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金属-絶縁体転移 
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