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J-GLOBAL ID：202002219445292550   整理番号：20A1884604

InGaAs/InPシングルフォトンアバランシェダイオードを用いたシングルフォトン検出器の飽和検出効率の向上

Saturated detection efficiency of single-photon detector based on an InGaAs/InP single-photon avalanche diode gated with a large-amplitude sinusoidal voltage

著者 (3件)： Tada Akiko (Institute of Quantum Science, Nihon University, 1-8-14 Kanda-Surugadai, Chiyoda-ku, Tokyo, 101-8308, Japan) ,  Namekata Naoto (Institute of Quantum Science, Nihon University, 1-8-14 Kanda-Surugadai, Chiyoda-ku, Tokyo, 101-8308, Japan) ,  Inoue Shuichiro (Institute of Quantum Science, Nihon University, 1-8-14 Kanda-Surugadai, Chiyoda-ku, Tokyo, 101-8308, Japan)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 59  号： 7  ページ： 072004 (7pp)  発行年： 2020年07月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InGaAs/InPシングルフォトンアバランシェダイオード(SPAD)を用いた1550nmでの高効率シングルフォトン検出について報告する。このゲートは12.0Vまでの過剰バイアス電圧を実現し,光検出効率(PDE)を大幅に向上させるとともに,室温で短いゲート時間で動作させることにより,ダークカウントやアフターパルスを抑制した。ゲート繰り返し周波数1.27GHzにおいて,1ゲートあたりのダークカウント確率は4.7×10^-4,アフターパルス確率は4.8%で,PDEは55.9%を達成した。PDEは高い過剰バイアス電圧によって飽和しており,ゲート化されたInGaAs/InP SPADは検出効率に限界があることを示している。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ヒ化ガリウムインジウム ,  *リン化インジウム ,  *アバランシェダイオード ,  光検出器 ,  光検出 ,  パルス波 ,  周波数 ,  電圧 ,  効率
準シソーラス用語： InGaAs ,  InP ,  *単一光子アバランシェダイオード ,  単一光子検出器 ,  アフターパルス ,  繰返し周波数 ,  バイアス電圧 ,  光子検出効率

分類 (1件)： 光電デバイス一般  (NC03081P)

タイトルに関連する用語 (6件)： InGaAs ,  InP ,  フォトン ,  検出器 ,  飽和 ,  検出効率