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J-GLOBAL ID:202002219457001789   整理番号:20A0496402

電流制約工学により開発した高効率InAs-InGaAs量子ダッシュ太陽電池【JST・京大機械翻訳】

High-Efficiency InAs-InGaAs Quantum Dash Solar Cells Developed Through Current Constraint Engineering
著者 (4件):
資料名:
巻: 2019  号: PVSC  ページ: 0765-0767  発行年: 2019年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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原理的に,量子ドット中間バンド太陽電池(QD-IBSC)は,III-V多接合太陽電池(MJSC)より高い電流密度で動作する。この固有の特性により,高濃度照明下で運転すると熱管理が重要になる。本研究では,この問題を回避するための一つの方法を提案した。そこでは,広いバンドギャップセルを,電流制約セルとして作用するQD-IBSCの上部に置いたが,代わりに,より高いV_OCをもたらした。結合InGaP/GaAsワイドギャップセル//InAs-InGaAs QDSC配置を持つ225sunsの下で32.1%の効率を実証した。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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