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J-GLOBAL ID:202002219605485440   整理番号:20A0578275

溶液燃焼法により調製したY_6-xSr_4(SiO_4)_6F_2フッ素アパタイトセラミックの伝導挙動に及ぼすエルビウム添加の影響【JST・京大機械翻訳】

Influence of erbium doping on conduction behaviour of Y6-xSr4(SiO4)6F2 fluorapatite ceramic prepared by solution combustion method
著者 (2件):
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巻: 46  号:ページ: 7912-7921  発行年: 2020年 
JST資料番号: H0705A  ISSN: 0272-8842  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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本論文では,溶液燃焼法により調製したY_6-xSr_4(SiO_4)_6F_2:Xer3+(x=1,1.25,1.5,1.75mol%)フッ素アパタイトセラミックの電気伝導機構を報告した。X線回折(XRD)分析により,ナノメーター範囲の結晶子サイズを持つ六方晶構造の形成を確認した。調製されたセラミックの走査電子顕微鏡(SEM)画像は,より高い結晶粒結合性を有する細長い球状粒子を示した。10Hzから100kHzまでの周波数範囲における周波数依存誘電研究を行った。異なるドーピング濃度を有する調製したセラミックの誘電率は,印加したac場の周波数の増加とともに減少した。誘電損失はエネルギー散逸と共に同じ傾向に従った。複素インピーダンス分光法を用いて,インピーダンス(Z′)の実数部,インピーダンス(Z′′)の虚部,および印加周波数によるac伝導率(σ)の変化を調べた。インピーダンス値の劇的な増加は,調製したセラミックの誘電応答を示すコル-コルプロットによって確認された粒の凝集によって支配されている。ac電気伝導率は,セラミックの電気伝導挙動に関する見解を与えることにより,適用周波数の増加により,上部範囲,すなわち分散領域に向けての増強を示した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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セラミック・陶磁器の製造 

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