3.3kV,60A Hブリッジ高電圧SiCダイオードモジュールの研究【JST・京大機械翻訳】

Hao Feng Bin; Jin Xiao Xing; Liu Ao; Li Shi Yan; Bai Song; Chen Gang

文献

J-GLOBAL ID：202002219646407484 整理番号：20A2662860

3.3kV,60A Hブリッジ高電圧SiCダイオードモジュールの研究【JST・京大機械翻訳】

Research of 3.3kV, 60A H-Bridge High-Voltage SiC Diode Modules

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資料名：
巻： 1014 ページ： 163-170 発行年： 2020年
JST資料番号： D0716B ISSN： 0255-5476 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：スイス (CHE) 言語：英語 (EN)

高電圧HブリッジSiCダイオードモジュールのシミュレーション,製作および測定について報告した。SiCモジュールは8つの自己設計3.3kV30A SiC Schottkyダイオード(SBD)で構成され,各ブリッジアームは60A電流を達成するために二重SBDチップによって接続されている。Q3Dを用いて,シミュレーションモデルを確立して,モジュールのネットワーク分割を作った。2つの寄生パラメータ,寄生インダクタと回路抵抗を回路から抽出し,それぞれ,約37.5nHと1.9mΩであった。幾何学的モデルと有限要素モデルを確立することによって,有限要素解析ソフトウェアANSYSを用いて,定常状態熱伝導と形成したチップの温度勾配分布を計算した。その結果,チップの最大接合温度は100°Cであり,温度場の分布は合理的であった。熱の横方向伝導は有効熱放散面積を増加させるので,熱の明白な濃度がない。室温と静的での試験条件の下で,モジュール電圧降下は約2.1Vであり,漏れ電流は5uA未満であり,絶縁破壊電圧は,それぞれ3700V以上であった。作製した3300Vデバイスは大きな安全マージンを示した。絶縁電圧は7000Vを超え,システムの安全性を確実にする。チップの熱抵抗は約0.21K/Wであり,これは基本的にシミュレーション結果と一致する。Copyright 2020 Trans Tech Publications Ltd. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

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ダイオード , 電力変換器

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