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J-GLOBAL ID：202002219858395604   整理番号：20A0354043

InGaAs量子井戸レーザにおけるGaAs,AlGaAsおよびGaInP障壁のシミュレーションと比較【JST・京大機械翻訳】

Simulation and comparision of GaAs, AlGaAs and GaInP barriers in InGaAs quantum well lasers

著者 (9件)： Huibo Yuan (State Key Laboratory of High Power Semiconductor Laser, Changchun University of Science and technology, Changchun, Jilin, 130022, China) ,  Li Lin (State Key Laboratory of High Power Semiconductor Laser, Changchun University of Science and technology, Changchun, Jilin, 130022, China) ,  Li Lin (College of Physics and Electronic Engineering, Hainan Normal University, Haikou, Hainan, 571158, China) ,  Zeng Lina (College of Physics and Electronic Engineering, Hainan Normal University, Haikou, Hainan, 571158, China) ,  Zhang Jing (State Key Laboratory of High Power Semiconductor Laser, Changchun University of Science and technology, Changchun, Jilin, 130022, China) ,  Li Zaijin (College of Physics and Electronic Engineering, Hainan Normal University, Haikou, Hainan, 571158, China) ,  Qu Yi (College of Physics and Electronic Engineering, Hainan Normal University, Haikou, Hainan, 571158, China) ,  Ma Xiaohui (State Key Laboratory of High Power Semiconductor Laser, Changchun University of Science and technology, Changchun, Jilin, 130022, China) ,  Liu Guojun (State Key Laboratory of High Power Semiconductor Laser, Changchun University of Science and technology, Changchun, Jilin, 130022, China)
資料名： IOP Conference Series: Materials Science and Engineering  (IOP Conference Series: Materials Science and Engineering)
巻： 592  号： 1  ページ： 012151 (8pp)  発行年： 2019年 
JST資料番号： W5559A  ISSN： 1757-8981  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaAs,AlGaAsおよびGaInP障壁を有するInGaAs量子井戸をそれぞれシミュレーションした。InGaAs/GaInP構造は,InGaAs/GaAsの約1.4倍の高い材料利得を明らかにした。InGaAs/GaInP構造の閾値電流はInGaAs/AlGaAsの半分以下である。InGaAs/GaInP構造から1.57W/Aの高いスロープ効率が,0.35の高いインジウム含有量で観察された。InGaAs/GaInP構造は,高いスロープ効率と低い閾値電流をもつレーザダイオードを作製するための最も適切な候補である。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 利得 ,  *シミュレーション ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  *量子井戸 ,  *ヒ化ガリウムアルミニウム ,  半導体レーザ ,  *ヒ化ガリウム ,  *量子井戸レーザ ,  インジウム
準シソーラス用語： スロープ効率 ,  閾値電流 ,  *InGaP , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (7件)： InGaAs ,  量子井戸レーザ ,  GaAs ,  AlGaAs ,  GaInP ,  障壁 ,  シミュレーション