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J-GLOBAL ID：202002219864734020   整理番号：20A2155421

コールドウォール化学蒸着法を用いたグラフェンの超清浄成長【JST・京大機械翻訳】

Superclean Growth of Graphene Using a Cold-Wall Chemical Vapor Deposition Approach

著者 (22件)： Jia Kaicheng (Center for Nanochemistry, Beijing Science and Engineering Center for Nanocarbons, Beijing National Laboratory for Molecular Sciences, College of Chemistry and Molecular Engineering, Peking University, Beijing, 100871, P. R. China) ,  Ci Haina (College of Energy, Soochow Institute for Energy and Materials InnovationS (SIEMIS), Jiangsu Provincial Key Laboratory for Advanced Carbon Materials and Wearable Energy Technologies, Soochow University, Suzhou, 215006, P. R. China) ,  Zhang Jincan (Center for Nanochemistry, Beijing Science and Engineering Center for Nanocarbons, Beijing National Laboratory for Molecular Sciences, College of Chemistry and Molecular Engineering, Peking University, Beijing, 100871, P. R. China) ,  Zhang Jincan (Beijing Graphene Institute, Beijing, 100095, P. R. China) ,  Zhang Jincan (Academy for Advanced Interdisciplinary Studies, Peking University, Beijing, 100871, P. R. China) ,  Sun Zhongti (College of Energy, Soochow Institute for Energy and Materials InnovationS (SIEMIS), Jiangsu Provincial Key Laboratory for Advanced Carbon Materials and Wearable Energy Technologies, Soochow University, Suzhou, 215006, P. R. China) ,  Ma Ziteng (Center for Nanochemistry, Beijing Science and Engineering Center for Nanocarbons, Beijing National Laboratory for Molecular Sciences, College of Chemistry and Molecular Engineering, Peking University, Beijing, 100871, P. R. China) ,  Zhu Yeshu (Center for Nanochemistry, Beijing Science and Engineering Center for Nanocarbons, Beijing National Laboratory for Molecular Sciences, College of Chemistry and Molecular Engineering, Peking University, Beijing, 100871, P. R. China) ,  Zhu Yeshu (Academy for Advanced Interdisciplinary Studies, Peking University, Beijing, 100871, P. R. China) ,  Liu Shengnan (Beijing Graphene Institute, Beijing, 100095, P. R. China) ,  Liu Junling (Beijing Graphene Institute, Beijing, 100095, P. R. China) ,  Sun Luzhao (Center for Nanochemistry, Beijing Science and Engineering Center for Nanocarbons, Beijing National Laboratory for Molecular Sciences, College of Chemistry and Molecular Engineering, Peking University, Beijing, 100871, P. R. China) ,  Sun Luzhao (Academy for Advanced Interdisciplinary Studies, Peking University, Beijing, 100871, P. R. China) ,  Liu Xiaoting (Center for Nanochemistry, Beijing Science and Engineering Center for Nanocarbons, Beijing National Laboratory for Molecular Sciences, College of Chemistry and Molecular Engineering, Peking University, Beijing, 100871, P. R. China) ,  Liu Xiaoting (Academy for Advanced Interdisciplinary Studies, Peking University, Beijing, 100871, P. R. China) ,  Sun Jingyu (College of Energy, Soochow Institute for Energy and Materials InnovationS (SIEMIS), Jiangsu Provincial Key Laboratory for Advanced Carbon Materials and Wearable Energy Technologies, Soochow University, Suzhou, 215006, P. R. China) ,  Yin Wanjian (College of Energy, Soochow Institute for Energy and Materials InnovationS (SIEMIS), Jiangsu Provincial Key Laboratory for Advanced Carbon Materials and Wearable Energy Technologies, Soochow University, Suzhou, 215006, P. R. China) ,  Peng Hailin (Center for Nanochemistry, Beijing Science and Engineering Center for Nanocarbons, Beijing National Laboratory for Molecular Sciences, College of Chemistry and Molecular Engineering, Peking University, Beijing, 100871, P. R. China) ,  Peng Hailin (Beijing Graphene Institute, Beijing, 100095, P. R. China) ,  Lin Li (School of Physics and Astronomy, University of Manchester, Manchester, M13 9PL, UK) ,  Liu Zhongfan (Center for Nanochemistry, Beijing Science and Engineering Center for Nanocarbons, Beijing National Laboratory for Molecular Sciences, College of Chemistry and Molecular Engineering, Peking University, Beijing, 100871, P. R. China) ,  Liu Zhongfan (Beijing Graphene Institute, Beijing, 100095, P. R. China)
資料名： Angewandte Chemie  (Angewandte Chemie)
巻： 132  号： 39  ページ： 17367-17371  発行年： 2020年 
JST資料番号： A0396A  ISSN： 0044-8249  CODEN： ANCEAD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 化学蒸着(CVD)は,魅力的な制御性と均一性を有するグラフェン膜の工業生産のための有望なアプローチとなっている。しかし,従来のホットウォールCVDシステムでは,CVD由来グラフェン膜は高温成長中の気相反応から生じる表面汚染に悩まされている。ここで,コールドウォールCVDシステムは気相反応を抑制し,制御可能な方法でグラフェン膜の超清浄成長を達成することができる。改善された光学的および電気的性質を示す,受入れた超清浄グラフェン膜は,エピタキシャル成長のための透明電極および基板として使用される理想的な候補材料であることが証明された。本研究は,高品質グラフェン膜の工業的生産のための新しい有望な選択を提供し,通常見落とされる気相反応の工学に関する知見は,グラフェンのCVD成長に関する将来の研究にとって有益であるであろう。Copyright 2020 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エピタクシー ,  高温 ,  可制御性 ,  電気的性質 ,  気相反応 ,  *化学蒸着 ,  透明電極 ,  工業生産 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： ホットウォールCVD ,  表面汚染 ,  高品質 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ab initio計算 ,  化学蒸着 ,  気相反応 ,  グラフェン ,  構造解明

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： ウォール ,  化学蒸着法 ,  グラフェン ,  成長