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J-GLOBAL ID：202002219879822175   整理番号：20A0333115

チタン酸ビスマスヘテロ構造の構造,格子動力学,特性【JST・京大機械翻訳】

Structure, lattice dynamics, properties of bismuth titanate heterostructures

著者 (6件)： Mukhortov V M (Southern Scientific Center of RAS, Rostov-on-Don, Russia) ,  Golovko Yu I (Southern Scientific Center of RAS, Rostov-on-Don, Russia) ,  Anokhin A S (Southern Scientific Center of RAS, Rostov-on-Don, Russia) ,  Stryukov D V (Southern Scientific Center of RAS, Rostov-on-Don, Russia) ,  Biryukov S V (Southern Scientific Center of RAS, Rostov-on-Don, Russia) ,  Timoshenko P E (Southern Federal University, Rostov-on-Don, Russia)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 53  号： 3  ページ： 035304 (7pp)  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ba_0.4Sr_0.6TiO_3バッファ層(4nm)を持つ(001)MgO基板上に異なる厚さのエピタキシャルBi_4Ti_3O_12(BTO)薄膜を調べた。Bi_4Ti_3O_12膜の結晶軸[100]は[100]MgO軸に対して相対的に回転した。Bi_4Ti_3O_12膜の厚さが40nm未満であるとき,膜の単位セルは界面平面方向に垂直に圧縮される。膜厚が大きい場合,歪の符号は変化し,それに対応して単位胞は延伸される。180°分域構造をもつ界面面におけるスイッチ自発分極は,10nmの膜厚で起こり,55Ccm-2までの厚さで増加した。Bi_4Ti_3O_12膜のRamanスペクトルの変化は,バルクユニットセルと比較して,膜単位胞の単斜晶歪の増加を示した。Bi_4Ti_3O_12膜の誘電特性に及ぼす面内誘電特性の異方性と内部歪の影響を,膜の誘電特性の研究により確認した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 酸化マグネシウム ,  自発分極 ,  単斜晶系 ,  異方性 ,  分域構造 ,  界面 ,  Ramanスペクトル ,  エピタクシー ,  *格子力学 ,  誘電性 ,  膜厚 ,  薄膜 ,  バッファ層
準シソーラス用語： 単位格子 ,  *ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (3件)： チタン酸ビスマス ,  ヘテロ構造 ,  格子動力学