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J-GLOBAL ID：202002219964989754   整理番号：20A1018506

空気中の表面電荷移動によるMoTe_2のドーピング【JST・京大機械翻訳】

Doping of MoTe₂ via Surface Charge Transfer in Air

著者 (11件)： Stan Gheorghe (Material Measurement Laboratory, National Institute of Standards and Technology, Maryland, United States) ,  Ciobanu Cristian V. (Department of Mechanical Engineering and Materials Science Program, Colorado School of Mines, Colorado, United States) ,  Likith Sri Ranga Jai (Department of Mechanical Engineering and Materials Science Program, Colorado School of Mines, Colorado, United States) ,  Rani Asha (Material Measurement Laboratory, National Institute of Standards and Technology, Maryland, United States) ,  Rani Asha (School of Engineering and Applied Science, The George Washington University, District of Columbia, United States) ,  Zhang Siyuan (Physical Measurement Laboratory, National Institute of Standards and Technology, Maryland, United States) ,  Zhang Siyuan (Theiss Research, Inc., California, United States) ,  Hacker Christina A. (Physical Measurement Laboratory, National Institute of Standards and Technology, Maryland, United States) ,  Krylyuk Sergiy (Material Measurement Laboratory, National Institute of Standards and Technology, Maryland, United States) ,  Krylyuk Sergiy (Theiss Research, Inc., California, United States) ,  Davydov Albert V. (Material Measurement Laboratory, National Institute of Standards and Technology, Maryland, United States)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 12  号： 15  ページ： 18182-18193  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ドーピングは,多くのキャリアの濃度とタイプが望ましい伝導特性を達成するために調整できる重要なプロセスである。ドーピングの一般的な方法は,シリコンの場合と同様にバルク不純物によるものである。van der Waals結合半導体に対して,バルク不純物の制御は,それらが層間または表面または界面との結合を移動させ,キャリアに対する望ましくない散乱中心になる可能性があるので,開発されていない。ここでは,Kelvinプローブ力顕微鏡(KPFM)と密度汎関数理論計算(DFT)により,空気中で起こる表面電荷移動によるMoTe_2のドーピングを調べた。DFTを用いて,酸素分子が表面に物理吸着し,その仕事関数(元の表面と比較して)がp型挙動に向かって増加することを示した。これはKPFM測定と一致する。吸着した酸素分子により駆動される表面電荷移動ドーピング(SCTD)は,全試料の熱アニーリングにより容易に制御され,または反転され得る。さらに,接触帯電によるドーピングの局所制御も実証した。可逆的で制御可能なナノスケール物理吸着プロセスとして,SCTDは2Dエレクトロニクスの新しい分野に対する新しい道を開くことができる。Copyright 2020 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  仕事関数 ,  半導体 ,  不純物 ,  ケイ素 ,  *ドーピング ,  電子技術 ,  二次元 ,  *表面電荷 ,  物理吸着
準シソーラス用語： 分子状酸素 ,  ナノスケール ,  局所制御 ,  熱アニーリング ,  密度汎関数計算 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 表面電荷移動ドーピング ,  二テルル化モリブデン ,  2D材料 ,  仕事関数 ,  Kelvinプローブ力顕微鏡

分類 (3件)： 光化学一般  (CB08010U) ,  塩  (CD01050V) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 空気中 ,  表面電荷 ,  ドーピング