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文献
J-GLOBAL ID:202002219969269906   整理番号:20A0284189

SiスピンMOSFETにおけるゲート効果の研究【JST・京大機械翻訳】

Investigation of gating effect in Si spin MOSFET
著者 (9件):
資料名:
巻: 116  号:ページ: 022403-022403-5  発行年: 2020年
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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Siベースのスピン金属-オキシド-半導体電界効果トランジスタ(スピンMOSFET)におけるゲート電圧印加は,電気伝導率とドリフト速度の両方が一定の電流を保ちながら修正されるスピン蓄積電圧を変調する。負のゲート電圧印加下でのSiスピンMOSFETにおけるスピン蓄積電圧の前例のない減少を,高い電気バイアス電流領域で観測した。著者らの主張を支持するために,ゲート電圧印加下でのスピン蓄積電圧の電気バイアス電流依存性を詳細に調べ,コンダクタンス不整合効果を含むスピンドリフト拡散モデルと比較した。Siチャネルにおける移動度とスピン寿命の劇的な減少は,高い電気バイアス電流での光学フォノン放出に起因し,その結果,スピン蓄積電圧を減少させた。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
トランジスタ  ,  金属-絶縁体-半導体構造 
タイトルに関連する用語 (4件):
タイトルに関連する用語
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