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J-GLOBAL ID:202002220026046204   整理番号:20A0487005

改善された光電気化学性能のための優れた光散乱能力を持つ周期FTO IO/CdS NRS/CdSeクラスタ【JST・京大機械翻訳】

Periodic FTO IOs/CdS NRs/CdSe Clusters with Superior Light Scattering Ability for Improved Photoelectrochemical Performance
著者 (6件):
資料名:
巻: 16  号:ページ: e1905826  発行年: 2020年 
JST資料番号: W2348A  ISSN: 1613-6810  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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CdSナノロッド(NR)とCdSeクラスタでグラフト化した周期的フッ素ドープ酸化スズ逆オパール(FTO IO)を改良光電気化学(PEC)性能について報告した。この階層的な光アノードは,ディップコーティング,水熱反応,および化学浴堆積の組合せによって製造される。3D FTO IOの周期的壁上での1D CdS NRの成長は,ユニークな3D/1D階層構造を形成し,CdSeクラスタの負荷に対するかなりの比表面積を与える。顕著に,周期的なFTO IOは均一な光散乱を可能にし,一方,豊富な囲まれたCdS NRは,完全な階層構造内で多重光散乱を与え,CdS NRとCdSeクラスタの光捕集を著しく改善する,付加的なランダム光散乱を誘起する。FTO IOの高い電子収集能とCdS/CdSeヘテロ接合形成は,電荷輸送と分離の増大にも寄与する。一つの階層構造におけるこれらの増強戦略の組込みにより,FTO IOs/CdS NR/CdSeクラスタは改善されたPEC性能を示した。可逆的な水素電極に対する1.23VにおけるFTO IOs/CdS NR/CdSeクラスタの光電流密度は9.2mAcm-2に達し,それはCdS NR/CdSeクラスタのそれより1.43倍大きく,CdS NRの3.83倍であった。Copyright 2020 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (3件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
電気化学反応  ,  半導体薄膜  ,  半導体のルミネセンス 

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