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J-GLOBAL ID：202002220174688072   整理番号：20A0290739

ホットプレスSiCセラミックの電気伝導率に及ぼすM_2O_3-Y_2O_3(M=ScおよびAl)添加物の影響【JST・京大機械翻訳】

Effects of M₂O₃-Y₂O₃ (M = Sc and Al) additives on electrical conductivity of hot-pressed SiC ceramics

著者 (4件)： Kim Kwang Joo (Department of Physics, Konkuk University, Seoul, 05029, Republic of Korea) ,  Malik Rohit (Functional Ceramics Laboratory, Department of Materials Science and Engineering, The University of Seoul, Seoul, 02504, Republic of Korea) ,  Park Jongho (Department of Physics, Konkuk University, Seoul, 05029, Republic of Korea) ,  Kim Young-Wook (Functional Ceramics Laboratory, Department of Materials Science and Engineering, The University of Seoul, Seoul, 02504, Republic of Korea)
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 46  号： 4  ページ： 5454-5458  発行年： 2020年 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高密度化炭化ケイ素セラミックを,Sc_2O_3-Y_2O_3とAl_2O_3-Y_2O_3添加物を有するホットプレスβ-SiC粉末によって製造した。添加物のSc_2O_3とAl_2O_3含有量を一定のY_2O_3含有量を維持しながら変化させた。同じY_2O_3含有量(0.849wt%)に対して,セラミックの電気伝導率(σ)は,Sc_2O_3含有量が0.259,0.519,および1.038wt%に増加すると,それぞれ2.3×102,4.5×101,および5.3Ω~1cm-1に減少した。Alドーピングの場合と同様に,セラミックのσは,Al_2O_3含有量の増加により,0.967wt%の固定Y_2O_3含有量で,Al_2O_3含有量が0.219,0.437,および0.874wt%に増加すると,それぞれ1.2,7.9×10-1,および1.2×10-1Ω~1cm-1に減少した。σのこの減少は,主に,SiC格子におけるScまたはAlドーピングにより生成された深いアクセプタの濃度の増加に起因すると考えられる。Sc_SiとAl_SiアクセプタはN_Cドナーを補償し,セラミックのキャリア密度を減少させた。Scドープ試料のそれよりもAlドープ試料の低いσは,それらのより低いキャリア移動度に起因すると考えられる。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 微細構造 ,  ドーピング ,  *アルミニウム ,  電気的性質 ,  *ホットプレス ,  粉体 ,  *電気伝導率 ,  キャリア密度 ,  *スカンジウム ,  *セラミック ,  *炭化ケイ素 ,  ドナー ,  アクセプタ ,  キャリア移動度
準シソーラス用語： 高密度化 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： SiC ,  電気的性質 ,  添加物組成 ,  微細構造-最終

分類 (1件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (6件)： ホットプレス ,  SiC ,  セラミック ,  電気伝導率 ,  Al ,  添加物