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J-GLOBAL ID:202002220303094495   整理番号:20A1256717

被覆応用のための水平気相成長により合成したAg/SnO_2ナノ複合材料の構造とUV抵抗【JST・京大機械翻訳】

Structures and UV resistance of Ag/SnO2 nanocomposite materials synthesized by horizontal vapor phase growth for coating applications
著者 (6件):
資料名:
巻:号:ページ: 4806-4816  発行年: 2020年 
JST資料番号: W3532A  ISSN: 2238-7854  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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Ag/SnO_2ナノ複合材料の構造とUV抵抗を,被覆応用のために本研究で観察した。水平気相成長(HVPG)を用いてAg/SnO_2ナノ複合材料を合成した。AgとSnO_2の間の比率を,0:5,1:4,2:3,3:2,4:1,および5:0の化学量論混合物で固定した。走査電子顕微鏡エネルギー分散X線分光法(SEM-EDX)を用いて材料の形態を評価した。次に,結果を密度汎関数理論(DFT)分析と比較した。SnO_2(110)およびAg(111)セルの計算DFT解析は,複合材料のナノロッド形成を検証した。さらに,Ag/SnO_2のDFT結果は,2.72から4.84eVまでの範囲の計算された電気的バンドギャップエネルギーからUVブロッキング特性を確認した。ナノ複合材料の最も高いUV吸光度は,8.09Aで1:4Ag/SnO_2化学量論比で観察された。研究は,Ag上のSnO_2の比率が増加し,吸光度が同様に増加することを示した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (3件):
分類
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半導体薄膜  ,  酸化物薄膜  ,  二次電池 
タイトルに関連する用語 (4件):
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