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J-GLOBAL ID：202002220487636259   整理番号：20A2241646

マイクロサーマルプラズマジェットを用いたアニーリングアモルファスシリコンによる高温領域での固相結晶化速度論の研究【JST・京大機械翻訳】

Investigation the solid phase crystallization kinetics at the high-temperature region by annealing amorphous silicon using microthermal-plasma jet

著者 (4件)： NGUYEN Hoa Thi Khanh (Hiroshima Univ.) ,  MIZUKAWA Yuri (Hiroshima Univ.) ,  HANAFUSA Hiroaki (Hiroshima Univ.) ,  HIGASHI Seiichiro (Hiroshima Univ.)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 67th  ページ： ROMBUNNO.15a-PB3-1  発行年： 2020年02月28日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

本文一部表示： シリコンの固相結晶化(SPC)速度論は,過去世紀の70世紀[1~2]以来研究されてきた。しかし,それらは主に低温領域に焦点を合わせた。著者らの知識では,高温領域でのSPC機構は,まだ研究課題である。本研究では,高温におけるマイクロ熱プラズマ...【JST・京大機械翻訳】【本文一部表示】

シソーラス用語： 核形成 ,  活性化エネルギー ,  屈折率 ,  *結晶化 ,  *高温 ,  *焼なまし ,  低温 ,  反射率 ,  *プラズマジェット ,  *ケイ素 ,  温度依存性 ,  媒質 ,  加熱速度 ,  *固相 ,  *アモルファスシリコン
準シソーラス用語： ナノデバイス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (4件)： 高温領域 ,  固相 ,  結晶化速度論 ,  研究