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J-GLOBAL ID：202002220587968943   整理番号：20A0453144

InNグラフェン様ナノシートの熱電特性:第一原理研究【JST・京大機械翻訳】

Thermoelectric properties of InN graphene-like nanosheet: A first principle study

著者 (3件)： Yeganeh M. (School of Natural Science, Kosar University of Bojnord, Bojnord, Iran) ,  Kafi F. (Department of Physics, Payame Noor University (PNU), P.O. Box 19395-3697, Tehran, Iran) ,  Boochani A. (Department of Physics, Islamic Azad University, Kermanshah Branch, Kermanshah, Iran)
資料名： Superlattices and Microstructures  (Superlattices and Microstructures)
巻： 138  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0600B  ISSN： 0749-6036  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,InNのグラフェン状単分子層の電子的および熱電的性質を,PBE-GGAおよびmBJポテンシャルを考慮したWien2kおよびBoltzmannTraPコードを用いて調べた。InN単分子層のバンドギャップはGGAとmBJによりそれぞれ0.72と0.98eVと推定された。Seebeck係数,電気伝導率,電子熱伝導率,電子比熱,力率及び性能指数の熱電特性を温度及びポテンシャルエネルギーの観点から調べた。熱電応用のための材料の品質を記述する性能指数は,GGAとmBJによりT=300でμ_0に対してμ=-0.11と0.93に対して0.92で推定された。また,InN単分子層の性能指数は,800Kまでの高温で,上述の値に近いままであることが分かった。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 高温 ,  電気伝導率 ,  品質 ,  単分子層 ,  *グラフェン ,  バンドギャップ ,  性能指数 ,  熱伝導率 ,  第一原理 ,  *ナノシート ,  力率 ,  電子比熱 ,  ポテンシャルエネルギー
準シソーラス用語： Seebeck係数 ,  *熱電特性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： InNグラフェン様ナノシート ,  GGA ,  MBJ ,  熱電特性 ,  性能指数

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (6件)： InN ,  グラフェン ,  ナノシート ,  熱電特性 ,  第一原理 ,  研究