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J-GLOBAL ID：202002220734583276   整理番号：20A0057928

光電気化学的水分解のための容易で安全なスピンオン法を用いたピラミッド型Si光電陰極上の均一埋込みpn接合の構築【JST・京大機械翻訳】

Construction of uniform buried pn junctions on pyramid Si photocathodes using a facile and safe spin-on method for photoelectrochemical water splitting

著者 (6件)： Li He (Key Laboratory for Green Chemical Technology of Ministry of Education, School of Chemical Engineering and Technology, Tianjin University, Tianjin 300072, China. [e-mail]) ,  Liu Bin ,  Feng Shijia ,  Li Huimin ,  Wang Tuo ,  Gong Jinlong
資料名： Journal of Materials Chemistry A. Materials for Energy and Sustainability  (Journal of Materials Chemistry A. Materials for Energy and Sustainability)
巻： 8  号： 1  ページ： 224-230  発行年： 2020年 
JST資料番号： W0204B  ISSN： 2050-7488  CODEN： JMCAET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 表面ドーピングにより埋め込まれたpn接合を有するCzochralskiシリコン(p型)は,光起電力(PV)および光電気化学(PEC)水分解システムに広く使用されている。しかしながら,リン酸塩化物(POCl_3)とホスフィン(PH_3)は,産業で広く使用されているリンドーピング源として,高毒性である。一方,実験室規模の応用のための市販のスピンオンドーパント(SOD)は,多数のリン重合体を有する高分子溶液であり,高い粘度をもたらす。従って,SODを用いてピラミッド状表面テクスチャ(ピラミッド)Si基板上に均一ドーピングを実現することは困難である。本研究では,リン源としてリン酸二水素アンモニウム(ADP)水溶液をスピンコーティングすることにより,ピラミッド状シリコン上に均一に埋め込まれたpn接合の構築を記述した。これは,低粘度で,高温でP_2O_5に分解することができる。均一接合における電荷キャリア分離の改善により,低粘度ドーパントを用いたpn+Si/TiO_2/Pt光電陰極は0.58V対可逆水素電極(RHE)の高い開始電位を示し,1M HClO_4において3.73%(SOD高分子溶液を使用)から10.6%への印加バイアス光子電流効率を改善した。PECタンデム配置を形成するために,最適化した光カソードをBiVO_4光アノードと組み合わせると,1太陽光照射下で,2.09%の安定な太陽から水素への変換効率が達成された。Copyright 2020 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ドーパント ,  水溶液 ,  太陽 ,  高温 ,  粘度 ,  *PN接合 ,  最適化 ,  リン ,  水素 ,  ドーピング ,  *光電陰極 ,  電位 ,  スピンコーティング ,  太陽光 ,  *ケイ素

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  電気化学反応  (CB07050F)

タイトルに関連する用語 (8件)： 光電気化学 ,  水分解 ,  ピラミッド ,  Si ,  光電陰極 ,  埋込み ,  PN接合 ,  構築