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J-GLOBAL ID：202002220737636203   整理番号：20A2193991

面内磁気異方性を有するステップ磁気ナノワイヤにおける渦磁壁動力学【JST・京大機械翻訳】

Vortex domain wall dynamics in stepped magnetic nanowire with in-plane magnetic anisotropy

著者 (1件)： Al Bahri M. (Department of Basic Sciences, A’Sharqiyah University, Post Box 42, PC 400 Ibra, Oman)
資料名： Journal of Magnetism and Magnetic Materials  (Journal of Magnetism and Magnetic Materials)
巻： 515  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： H0644A  ISSN： 0304-8853  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 面内磁気異方性を有するステップナノワイヤにおけるVortexドメイン壁(VDW)動力学および安定性を,固定ナノワイヤ寸法を有するミクロ磁気シミュレーションを用いて研究した。ステップ面積を長さ(d=50nm)と幅(λ=50nm)の比率を有するナノワイヤの中心で収縮させ,高い情報記憶容量を達成するために高い障壁ポテンシャルエネルギーを有する磁区壁(DW)をピンした。この研究から,異なる構造を有するDWは,高い安定性を有するステップ領域にピン止めされていることが分かった。また,そのキラリティーと極性によるVDW挙動の低減を飽和磁化(Ms)に従って得た。M_sの値を増加させることにより,そのキラリティーと極性に基づくナノワイヤエッジへのVDW引力は,ステップ領域に向かって直線で移動し,VDWは移動する。従って,M_Sの高い値では,VDWはタイプで安定であり,ピン止めするまで500m/sの速度のステップ領域に向かって移動する。さらに,ステップ領域設計の対称性は,VDWがステップ領域を通して直線で移動し,脱ピン中にその磁化配置を維持するのを助ける。これは記憶メモリデバイスにおける情報を書き込み,読むために重要である。さらに,電流密度値(J)は,そのキラリティーと極性に関するVDW挙動を減少させることによって,VDWの安定性に影響した。低い駆動電流密度値によって,VDWは,ステップ領域で到達し,ピン止めするまでその構造を維持した。ステップ領域を通して横領域壁(TDW)とVDWピンニングを調べるために,更なる研究を行った。結果は,TDWsがVDWsより高い障壁ポテンシャルを有することを示した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 記憶装置 ,  磁化 ,  *磁壁 ,  シミュレーション ,  対称性 ,  飽和磁化 ,  記憶容量 ,  ポテンシャルエネルギー ,  *磁気 ,  電流密度 ,  ピン止め ,  領域壁 ,  *ナノワイヤ
準シソーラス用語： 駆動電流 ,  *磁気ナノワイヤ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： マイクロ磁気シミュレーション ,  渦領域壁 ,  階段状ナノワイヤ ,  スピン移動トルク

分類 (3件)： 金属の磁気異方性・磁気機械効果  (BM06102S) ,  金属薄膜  (BK14030T) ,  その他の無機化合物の磁性  (BM06060P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 面内磁気異方性 ,  磁気ナノワイヤ ,  渦 ,  磁壁 ,  動力学