文献

J-GLOBAL ID：202002220784252404   整理番号：20A1525180

ペロブスカイト太陽電池における界面層と添加物としての分子材料【JST・京大機械翻訳】

Molecular materials as interfacial layers and additives in perovskite solar cells

著者 (7件)： Vasilopoulou Maria (Institute of Nanoscience and Nanotechnology, National Center for Scientific Research “Demokritos”, 15341 Agia Paraskevi, Attica, Greece. [e-mail]) ,  Fakharuddin Azhar ,  Coutsolelos Athanassios G. ,  Falaras Polycarpos ,  Argitis Panagiotis ,  Yusoff Abd. Rashid bin Mohd ,  Nazeeruddin Mohammad Khaja
資料名： Chemical Society Reviews  (Chemical Society Reviews)
巻： 49  号： 13  ページ： 4496-4526  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0479B  ISSN： 0306-0012  CODEN： CSRVBR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機-金属ハライドペロブスカイトに基づく太陽電池は,それらの低コスト溶液加工性,高い電力変換効率,最近,25.2%の認証値に達し,原材料の豊富さにより,過去数年にわたって前例のない研究興味を得ている。それにもかかわらず,最良の効率は,ペロブスカイト吸収体のバルク中に存在する欠陥トラップまたはデバイスヘテロ界面のいずれかから生じるいくつかの損失に起因して,32.5%のShockley-Queisser理論限界以下に留まっている。バルク欠陥は主に開回路電圧を制限することによりデバイス性能に有害であるが,界面層も重要である。それらは,ペロブスカイト層から収集電極への電荷移動/輸送を指示し,従って,デバイス光電流に影響するが,酸素および水分浸透に対する保護障壁として作用する。分子材料および添加剤は,優れた光電子特性を有する高品質ペロブスカイト膜の形成および電荷移動/輸送中の最小損失を有する電子的にクリーンな界面により,ペロブスカイト吸収体のバルク特性を改善するために広く使用されている。このレビューにおいて,貧弱な界面による電圧と電流損失に寄与する支配的な経路,また,劣ったペロブスカイト形態とその固有の多結晶と高度に欠陥のある性質から生じる非放射再結合損失に起因する。次に,理想的なエネルギーレベル,高い電荷移動度および改善された熱,光および構造安定性を有するペロブスカイト太陽電池における電子および正孔輸送層として応用するための界面有機および無機分子材料を達成するための戦略を議論した。さらに,次元工学,欠陥不動態化,分子架橋,界面エネルギー整列および電子ドーピングを達成するための分子添加物の必要条件を徹底的に論じた。最後に,将来の研究方向と商業化の見通しを調べた。Copyright 2020 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： アラインメント ,  *界面 ,  光電流 ,  *太陽電池 ,  電圧 ,  電荷移動 ,  酸素 ,  不動態化 ,  水分 ,  多結晶 ,  ペロブスカイト型結晶
準シソーラス用語： 開回路電圧 ,  電力変換効率 ,  ヘテロ界面 ,  非放射再結合 ,  *ペロブスカイト太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (4件)： ペロブスカイト太陽電池 ,  界面層 ,  添加物 ,  分子