文献

J-GLOBAL ID：202002220789630326   整理番号：20A1900998

70Kでの波形制御パルス磁化によるGdBCOの捕捉磁場の改善【JST・京大機械翻訳】

Improvement of trapped magnetic field in GdBCO by waveform control pulse magnetization at 70 K

著者 (5件)： Ida Tetsuya (Tokyo University of Marine Science and Technology, Tokyo 108-8477, Japan) ,  Watanabe Shunya (Tokyo University of Marine Science and Technology, Tokyo 108-8477, Japan) ,  Watasaki Masahiro (Tokyo University of Marine Science and Technology, Tokyo 108-8477, Japan) ,  Watasaki Masahiro (National Institute of Technology, Hiroshima College, Hiroshima 725-0231, Japan) ,  Izumi Mitsuru (Tokyo University of Marine Science and Technology, Tokyo 108-8477, Japan)
資料名： Journal of Physics: Conference Series  (Journal of Physics: Conference Series)
巻： 1559  号： 1  ページ： 012030 (7pp)  発行年： 2020年 
JST資料番号： W5565A  ISSN： 1742-6588  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 77K以下で2つの渦型銅コイル間に挟まれた高温超伝導体(HTS)バルクに波形制御パルス磁化(WCPM)法を適用して,単一パルス磁場で強磁場をトラップすることを試みた。GMクライオクーラは,軸方向ギャップ型HTSモータの内部構造に類似した配置において,GdBCOバルクを70Kに伝導的に冷却した。HTSバルクはフラックスジャンプを示さなかったが,WCPMのデューティ比は小さかった。デューティ比を増加させると,任意の事前の兆候を見出さずにフラックスジャンプを見出し,トラップされた磁束密度は2倍増加した。したがって,著者らは,フラックスジャンプが見出されない間,最高捕捉磁束密度で制御ターゲットを持つ負のフィードバックWCPMを試みた。対照条件の試行と誤差の後,HTSバルクサンプルは,単一パルス磁場によって1.79Tの最大磁束密度をトラップした。WCPM技術が使用されるならば,単一パルス磁場はHTSバルクを引き起こし,より低い温度でより高いトラップ場を得る。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *磁化 ,  電動機 ,  銅 ,  磁束密度 ,  軸方向 ,  強磁場 ,  *捕獲 ,  内部構造 ,  負帰還 ,  高温超伝導体 ,  パルス磁場
準シソーラス用語： *捕捉磁場 ,  デューティサイクル ,  *GdBCO ,  高磁束密度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 酸化物系超伝導体の物性  (BM04023I) ,  超伝導磁石  (BM04042N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 波形 ,  制御パルス ,  磁化 ,  捕捉磁場