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J-GLOBAL ID：202002221011235018   整理番号：20A1580393

赤外光の検出のためのIGZOチャネル上のAl_2O_3誘起サブギャップドーピング【JST・京大機械翻訳】

Al₂O₃-Induced Sub-Gap Doping on the IGZO Channel for the Detection of Infrared Light

著者 (16件)： Kim Jaeun (Department of Advanced Materials Engineering, Chungbuk National University, Chungbuk, Republic of Korea) ,  Kim Tae Hyeon (Department of Advanced Materials Engineering, Chungbuk National University, Chungbuk, Republic of Korea) ,  Oh Seyoung (Department of Advanced Materials Engineering, Chungbuk National University, Chungbuk, Republic of Korea) ,  Nam Jae Hyeon (Department of Advanced Materials Engineering, Chungbuk National University, Chungbuk, Republic of Korea) ,  Jang Hye Yeon (Department of Advanced Materials Engineering, Chungbuk National University, Chungbuk, Republic of Korea) ,  Kim Yonghun (Materials Center for Energy Convergence, Surface Technology Division, Korea Institute of Materials Science (KIMS), Gyeongnam, Republic of Korea) ,  Yamada Naohito (Graduate School of Chemical Sciences and Engineering, Hokkaido University, Japan) ,  Kobayashi Hikaru (Graduate School of Chemical Sciences and Engineering, Hokkaido University, Japan) ,  Kim So-Young (Center for Emerging Electronic Devices and Systems, Gwangju Institute of Science and Technology, Korea) ,  Kim So-Young (School of Materials Science and Engineering, Gwangju Institute of Science and Technology, Korea) ,  Lee Byoung Hun (Center for Emerging Electronic Devices and Systems, Gwangju Institute of Science and Technology, Korea) ,  Lee Byoung Hun (School of Materials Science and Engineering, Gwangju Institute of Science and Technology, Korea) ,  Habazaki Hiroki (Graduate School of Chemical Sciences and Engineering, Hokkaido University, Japan) ,  Habazaki Hiroki (Faculty of Engineering, Hokkaido University, Hokkaido, Japan) ,  Park Woojin (Department of Advanced Materials Engineering, Chungbuk National University, Chungbuk, Republic of Korea) ,  Cho Byungjin (Department of Advanced Materials Engineering, Chungbuk National University, Chungbuk, Republic of Korea)
資料名： ACS Applied Electronic Materials  (ACS Applied Electronic Materials)
巻： 2  号： 5  ページ： 1478-1483  発行年： 2020年 
JST資料番号： W5669A  ISSN： 2637-6113  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： IR関連サブバンドギャップ吸収の欠如のため,付加的赤外(IR)光センシングを有するワイドバンドギャップ酸化物材料はほとんど報告されていない。本研究では,原子層堆積によって堆積したAl電極とインジウムガリウム亜鉛オキシド(IGZO)チャネルの間の薄い酸化アルミニウム(Al_2O_3)層の挿入が,可視波長(400と530nm)で光と同様に850nmのIR光を吸収できることを報告する。UV-可視吸収および光ルミネセンス測定は,Al_2O_3/IGZO積層チャネル層が,IGZOバンドギャップ内のサブギャップドーピングにより,付加的IR吸収およびその結果としてのIR励起電荷キャリアを誘起することを示した。特に,この手法は,IGZOトランジスタの接触特性を改善するだけでなく,IR検出を可能にする相乗効果を提供する。さらに,明確な動的光スイッチング挙動をAl_2O_3/IGZOトランジスタデバイスに対してのみ観察し,IGZOのみを含むデバイスよりも50倍高い光電流を明らかにした。このように,広いバンドギャップ酸化物材料の界面を工学する簡単な方法は,予想外の二重バンドギャップ光センシング特性の導入を可能にし,それによって,これらの材料のフォトニック応用の範囲を拡大した。Copyright 2020 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  光電流 ,  *赤外線 ,  トランジスタ ,  励起 ,  *アルミニウム ,  酸化アルミニウム ,  波長 ,  *ドーピング ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： ワイドバンドギャップ ,  電荷キャリア ,  *酸化インジウム・ガリウム・亜鉛 ,  *サブギャップ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： インジウムガリウム亜鉛オキシド ,  酸化アルミニウム ,  サブギャップドーピング ,  赤外光 ,  光検出器

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 赤外光 ,  IGZO ,  チャネル ,  誘起 ,  サブギャップ ,  ドーピング