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J-GLOBAL ID：202002221117063487   整理番号：20A0525925

高圧Bridgman法を用いたCdTe合成と結晶成長【JST・京大機械翻訳】

CdTe synthesis and crystal growth using the high-pressure Bridgman technique

著者 (15件)： Al-Hamdi Tawfeeq K. (Center for Materials Research, Washington State University, Pullman, WA 99163, USA) ,  Al-Hamdi Tawfeeq K. (Mustansiriya University, College of Engineering, Department of Materials, Baghdad, Iraq) ,  McPherson Seth W. (Center for Materials Research, Washington State University, Pullman, WA 99163, USA) ,  Swain Santosh K. (Center for Materials Research, Washington State University, Pullman, WA 99163, USA) ,  Jennings Joshah (Center for Materials Research, Washington State University, Pullman, WA 99163, USA) ,  Duenow Joel N. (National Renewable Energy Laboratory, Golden, CO 80401, USA) ,  Zheng X. (National Renewable Energy Laboratory, Golden, CO 80401, USA) ,  Albin D.S. (National Renewable Energy Laboratory, Golden, CO 80401, USA) ,  Ablekim T. (National Renewable Energy Laboratory, Golden, CO 80401, USA) ,  Colegrove E. (National Renewable Energy Laboratory, Golden, CO 80401, USA) ,  Amarasinghe M. (National Renewable Energy Laboratory, Golden, CO 80401, USA) ,  Ferguson Andrew (National Renewable Energy Laboratory, Golden, CO 80401, USA) ,  Metzger Wyatt K. (National Renewable Energy Laboratory, Golden, CO 80401, USA) ,  Szeles Csaba (Nious Technologies Inc., Pittsburgh, PA 15238, USA) ,  Lynn Kelvin G. (Center for Materials Research, Washington State University, Pullman, WA 99163, USA)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 534  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 元素からのCdTeの効率的で,安全で費用対効果の高い合成は,Cdの高い蒸気圧のために,シリカ密封アンプルにおいてかなり挑戦的である。本論文では,大容量に拡張可能な高圧Bridgman(HPB)技術を用いた高純度CdTeの集積合成と結晶成長について報告する。このプロセスは,光電池,センサおよび電気光学応用のための多結晶原料材料のコスト競争的工業生産のためにそれ自身を提供する。1kgを超えるテルル化カドミウム(CdTe)結晶を,最先端のγ線検出器結晶に匹敵する純度の元素CdとTe源から合成した。さらに,V族(As,Sb)ドーパントの効果的な組込みを示す薄膜光起電力応用のための高ドープCdTe原料の合成を,~500mm/hrの成長速度で達成した。この技術は揮発性成分を含む他のII-VI化合物の生産に適用できる。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ドーピング ,  *Bridgman法 ,  *テルル ,  *カドミウム ,  *結晶 ,  太陽電池 ,  成長速度 ,  *テルル化カドミウム ,  多結晶 ,  ドーパント ,  薄膜 ,  薄膜成長 ,  アンプル ,  *高圧 ,  純度 ,  二酸化ケイ素

著者キーワード (7件)： A1 ドーピング ,  A1 溶解度 ,  A2 メルトからの成長 ,  A2 単結晶成長 ,  B1 カドミウム化合物 ,  B2 半導体材料 ,  B3 太陽電池

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 高圧 ,  Bridgman法 ,  CdTe ,  結晶成長