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J-GLOBAL ID：202002221149484892   整理番号：20A1038753

発光調整可能なAgInS_2/ZnS量子ドットの合成と発光ダイオードへの応用【JST・京大機械翻訳】

Synthesis of emission tunable AgInS₂/ZnS quantum dots and application for light emitting diodes

著者 (4件)： Wei Jiahu (Jiangxi Engineering Laboratory for Optoelectronics Testing Technology, Nanchang Hangkong University, Nanchang 330063, People’s Republic of China) ,  Li Feng (Jiangxi Engineering Laboratory for Optoelectronics Testing Technology, Nanchang Hangkong University, Nanchang 330063, People’s Republic of China) ,  Chang Chun (Jiangxi Engineering Laboratory for Optoelectronics Testing Technology, Nanchang Hangkong University, Nanchang 330063, People’s Republic of China) ,  Zhang Qin (Jiangxi Engineering Laboratory for Optoelectronics Testing Technology, Nanchang Hangkong University, Nanchang 330063, People’s Republic of China)
資料名： Journal of Physics Communications  (Journal of Physics Communications)
巻： 4  号： 4  ページ： 045016 (9pp)  発行年： 2020年 
JST資料番号： W5564A  ISSN： 2399-6528  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： インジウムに富む環境に優しい量子ドット(QD)はカドミウムの不在により広く注目されている。本論文では,AgInS_2(AIS)QDを熱注入法により合成した。インジウム/銀(In/Ag=1,2,3,4,5)の比率を調整することによって,AIS QDsは,インジウム組成が増加すると,868nmから603nmへの青方偏移を示した。その中で,In/Ag=4の比をもつAIS QDは57%までの最高の光ルミネセンス(PL)量子収率(QYs)を示した。AIS QDは表面欠陥を不動態化するためにZnSシェルで被覆され,得られたコア/シェルのAIS QDのPL QYは72%まで増加した。これらのAIS/ZnS QDを発光ダイオードとして用いることにより,発光ダイオードを積層多層構造ITO/PEDOT:PSSPSS/ポリTPD/QD/ZnO:Mg/Alにより組み立てた。得られたエレクトロルミネセンス(EL)素子は,最大外部量子効率(EQE)1.25%,開回路電圧4.6Vを示し,最大輝度1120cd/m2に対応した。作製したAIS/ZnSベースのデバイスの性能はCdベースのものよりもはるかに遅れているが,QDの合成とデバイス構造の最適化に関するより多くの研究によりそれらは増強されると期待される。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エレクトロルミネセンス ,  *発光ダイオード ,  *発光 ,  光ルミネセンス ,  量子収量 ,  カドミウム ,  インジウム ,  不動態化 ,  輝度 ,  *硫化亜鉛 ,  素子構造 ,  青方偏移 ,  *量子ドット
準シソーラス用語： 開回路電圧 ,  外部量子効率 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 塩  (CD01050V) ,  無機化合物のルミネセンス  (BM08093J) ,  発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (4件)： ZnS ,  量子ドット ,  発光ダイオード ,  応用